功率半导体元件封装结构制造技术

本技术公开了功率半导体元件封装结构，其包括电路板、功率半导体元件、封装体和导热组件；电路板的绝缘基板内贯穿地设有金属块，电路板的第一表面设有第一导电层，电路板的第二表面设有第二导电层，第二导电层包括与金属块连接的第一导电图形以及与金属块分隔设置的第二导电图形；功率半导体元件设置在电路板的第二表面上，功率半导体元件面对电路板的第一连接面上设有多个电极，多个电极分别与第一导电图形和第二导电图形连接；封装体设置在电路板的第二表面上，并将功率半导体元件封装在内部；导热组件设置在封装体中，并连接功率半导体元件的第二连接面。本技术不仅可实现双面散热，还具有高集成度和寄生电感低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装领域；更具体地，是涉及一种功率半导体元件封装结构。

技术介绍

1、例如igbt芯片和mosfet芯片等的功率半导体元件广泛应用在各种电力电子设备上，随着电力电子设备朝小型化方向发展，此类功率半导体元件大多采用与周边电子元件集成封装的模块化内埋封装结构。功率半导体元件工作时会产生大量热量，如果封装结构不能及时将所产生的热量散发，将严重影响功率半导体元件及其周边电子元件的工作。

2、现有技术中，功率半导体元件的封装结构具有多种类型，例如bga(ball gridarray，球栅阵列封装)、lga(land grid array，栅格阵列封装)和内埋于电路板等封装结构，但这些封装结构仍然普遍存在散热性能不足、结构复杂等一些问题，需要加以改进。

技术实现思路

1、本技术的主要目的是提供一种结构简单且具有较佳散热性能的功率半导体元件封装结构。

2、为了实现上述主要目的，本技术公开了一种功率半导体元件封装结构，其包括：

3、电路板，其包括绝缘基板、第一导电层和第二导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体元件封装结构，其特征在于包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述导热组件包括陶瓷片以及分别设置在所述陶瓷片相对两侧的第一金属箔和第二金属箔，所述第一金属箔与所述功率半导体元件的第二连接面连接，所述第二金属箔设置为从所述封装体暴露。

3.根据权利要求2所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述第一金属箔和所述第二金属箔的厚度为0.2mm～1.5mm。

4.根据权利要求2所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述封装体包括多层绝缘芯板，所述绝缘芯板之间通过粘结片粘结连接，所述陶瓷片的侧边缘夹持在所述...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体元件封装结构，其特征在于包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述导热组件包括陶瓷片以及分别设置在所述陶瓷片相对两侧的第一金属箔和第二金属箔，所述第一金属箔与所述功率半导体元件的第二连接面连接，所述第二金属箔设置为从所述封装体暴露。

3.根据权利要求2所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述第一金属箔和所述第二金属箔的厚度为0.2mm～1.5mm。

4.根据权利要求2所述的功率半导体元件封装结构，其特征在于：所述封装体包括多层绝缘芯板，所述绝缘芯板之间通过粘结片粘结连接，所述陶瓷片的侧边缘夹持在所述绝缘芯板之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟健，
申请(专利权)人：丰鹏电能有限公司，
类型：新型
国别省市：

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