【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片可靠性领域，涉及一种基于渗流理论的栅氧化层tddb寿命预测方法。
技术介绍
1、半导体工艺尺寸遵循着摩尔定律逐年减小，从亚微米级到深亚微米级，再到如今的纳米级。随着半导体工艺进步，微电子行业的增长速度也变得更快。薄氧化层使得器件面临的可靠性问题也就越来越明显。如今芯片产业发展规模已经渗透到各个领域，因此，可靠性问题就值得认真深入研究。
2、半导体材料的可靠性包括经时击穿(tddb)、零时击穿(tzdb)、负偏压温度不稳定性(nbti)、热载流子注入效应(hci)、应力诱导漏电流(silc)、电迁移(em)等。栅氧化层可靠性的主要问题是tddb效应。
3、经时击穿(tddb)指栅氧化层在工作一段时间后发生tddb击穿的失效现象。tddb分为两个过程，电应力下价键断裂引起缺陷，然后缺陷累积形成导电通路。传统的tddb效应模型包括e模型，1/e模型，模型和幂指数模型，无法很好的适用于薄栅氧化层的tddb失效。因此有必要从微观层面解释缺陷累积的物理机制，从而解释栅氧化层tddb失效原理。当许多栅极芯片连...
【技术保护点】
1.一种基于渗流理论的栅氧化层TDDB寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于渗流理论的栅氧化层TDDB寿命预测方法，其特征在于，步骤1)中，设将栅氧化层作为一个三维长方体结构，其中，所述长方体的长为:，宽为W，厚度为tox，将栅氧化层均匀划分成n层，边长为a0的晶格。
3.根据权利要求1所述的基于渗流理论的栅氧化层TDDB寿命预测方法，其特征在于，栅氧化层的累计失效概率FBD为：
4.根据权利要求3所述的基于渗流理论的栅氧化层TDDB寿命预测方法，其特征在于，应用威布尔分析法，随机模拟整个介质层失效情...
【技术特征摘要】
1.一种基于渗流理论的栅氧化层tddb寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于渗流理论的栅氧化层tddb寿命预测方法，其特征在于，步骤1)中，设将栅氧化层作为一个三维长方体结构，其中，所述长方体的长为:，宽为w，厚度为tox，将栅氧化层均匀划分成n层，边长为a0的晶格。
3.根据权利要求1所述的基于渗流理论的栅氧化层tddb寿命预测方法，其特征在于，栅氧化层的累计失效概率fbd为：
4.根据权利要求3所述的基于渗流理论的栅氧化层tddb寿命预测方法，其特征在于，应用威布尔分析法，随机模拟整个介质层失效情况，得威布尔结果为：
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：段东立，付佳容，翟雨晨，纪思源，
申请(专利权)人：西安建筑科技大学，
类型：发明
国别省市：
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