半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，基底上具有介质层和位于介质层上的牺牲层；在牺牲层上形成第一侧墙，第一侧墙包括若干相互平行的第一部；在牺牲层上和部分第一侧墙上形成第一图形层，第一图形层内具有第一开口，以第一图形层和第一部为掩膜刻蚀去除牺牲层形成第二开口；在去除第一侧墙后，在第二开口的侧壁表面形成第二侧墙，第二侧墙包括若干相互平行的第二部，且若干第二部沿第一方向分布；在部分第二侧墙以及牺牲层上形成第二图形层，第二图形层内具有第三开口，第三开口暴露出第二部以及第二部之间的牺牲层；以第二图形层为掩膜，刻蚀牺牲层和介质层，在介质层内形成第四开口；提升半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

1、双图案技术(double-patterning，dp)正作为一种解决途径在半导体器件制备过程中得到广泛的接受和应用。双图案技术(double-patterning，dp)通过节距碎片(pitchfragmentation)克服了k1限制，从而被广泛的用于半导体器件的制备中。目前在双图案技术(double-patterning，dp)技术中有自对准双图案(self-aligned double patterning，sadp)、光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，lele)以及冻结涂层刻蚀(litho-freeze-litho，lfl)。

2、随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生着重大的变革，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十、几百个增加到现在的数以百万个。为了达到电路密度的要求，半导体集成电路芯片的制作工艺利用批量处理技术，在衬底上形成各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能，目前大多采用在导线之间以超低k层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述第一侧墙之前还包括：

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述第一侧墙的方法包括：

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙之后，在形成所述第一图形层之前，还包括去除所述芯层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除暴露出的所述牺牲层之后，去除所述第一侧墙之前，还包括去除所述第一图形层。

6.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述第一侧墙之前还包括：

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成所述第一侧墙的方法包括：

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙之后，在形成所述第一图形层之前，还包括去除所述芯层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除暴露出的所述牺牲层之后，去除所述第一侧墙之前，还包括去除所述第一图形层。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第四开口内形成导电层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述导电层的步骤包括：

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一开口的宽度尺寸比所述第一部的长度尺寸大20埃至40埃...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：