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本发明一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，基底上具有介质层和位于介质层上的牺牲层；在牺牲层上形成第一侧墙，第一侧墙包括若干相互平行的第一部；在牺牲层上和部分第一侧墙上形成第一图形层，第一图形层内具有第一开口，以第一图形层和第一部为掩膜...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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