一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件制造技术

本发明专利技术涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括水平排列并前后延伸的并联MOS元胞结构，所述MOS元胞包括半导体基层、栅极、P体区、N体区以及源极，所述栅极嵌设在半导体基层的上方，并且栅极的复合片呈圆锥形状，所述半导体基层包括中间层、衬底层和扩散层，所述衬底层制备中的外圈加入高浓度磷元素，以形成单个MOS元胞中的衬底层呈中间低洼四周高的形状。本发明专利技术通过将N体区划分为掺杂N体区和纯净N体区，并在两者之间再增设纯净P体区一，这样纯净N体区内的电荷流入源极时，即使出现分流也只会通过纯净P体区一进入至源极，不会出现向其他MOS元胞流动的现象，这样可以避免单个MOS元胞电压阈值不稳定的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mos半导体，更具体的说是一种低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件。

技术介绍

1、sic器件碳化硅(sic)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。

2、现有专利公开了本技术提供了一种低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，包括纵向自下而上的漏极、n型重掺衬底层、n型轻掺外延层、p型阱区、源极和栅极；所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；所述p型阱区上设有介质槽，所述介质槽纵向深度小于p型阱区深度；所述源极以及漏极均设于所述介质槽内。该专利中的技术在使用过程中，会出现漏极的电荷向其他mos元胞漂移的现象，这种电荷漂移的现象会造成单个mos元胞的电压阈值出现不稳定的现象。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，解决了上述背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括水平排列并前后延伸的并联MOS元胞结构，其特征在于：所述MOS元胞包括半导体基层、栅极(3)、P体区、N体区以及源极(2)，所述栅极(3)嵌设在半导体基层的上方，并且栅极(3)的复合片呈圆锥形状；

2.根据权利要求1所述的低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述中间层(4)为金属钨单质。

3.根据权利要求1所述的低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述栅极(3)与半导体基层、N体区以及P体区的接触处设有绝缘氧化层(12)。

4.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，包括水平排列并前后延伸的并联mos元胞结构，其特征在于：所述mos元胞包括半导体基层、栅极(3)、p体区、n体区以及源极(2)，所述栅极(3)嵌设在半导体基层的上方，并且栅极(3)的复合片呈圆锥形状；

2.根据权利要求1所述的低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，其特征在于：所述中间层(4)为金属钨单质。

3.根据权利要求1所述的低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，其特征在于：所述栅极(3)与半导体基层、n体区以及p体区的接触处设有绝缘氧化层(12)。

4.根据权利要求1所述的低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，其特征在于：所述源极(2)的内部设有支撑层(11)，其中支撑层(11)隔绝栅极(3)与源极(2)发生接触。

5.根据权利要求1所述的低阈值电压sic圆形栅vdmosfet功率器件，其特征在于：所述n体区嵌设在p体区的上方，其中n体区中的掺杂n体区...

【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：