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本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括水平排列并前后延伸的并联MOS元胞结构，所述MOS元胞包括半导体基层、栅极、P体区、N体区以及源极，所述栅极嵌设在半导体基层的上方，并且栅极的复...
该专利属于杭州谱析光晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州谱析光晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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