一种芯片结构及其制备方法技术

本公开提供一种芯片结构及其制备方法，芯片结构包括基底、覆盖层以及填充体；覆盖层位于基底的一侧，覆盖层设置有感应部，基底靠近覆盖层的一侧或覆盖层靠近基底的一侧设有凹陷部，基底或覆盖层内部形成有流道，流道包括第一端口，第一端口与凹陷部连通，填充体位于流道内，填充体将流道分隔形成第一部分和第二部分，第一部分靠近第一端口，第一部分和凹陷部形成低压腔，感应部位于低压腔边缘或低压腔内。本公开实施例可以降低芯片结构的低压腔的制备难度和加工成本，增加量产成品率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及微机电制造，尤其涉及一种芯片结构及其制备方法。

技术介绍

1、微机电系统(mems：micro-electro-mechanical system)是基于微电子技术和超精密机械加工技术而发展起来的，将传感器、执行器、机械机构、信息处理和控制电路等集成于一体的集成微型器件或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级。与传统的器件相比，其具有可大批量生产、成本低、功耗少和集成化程度高等显著的特点。常用的mems器件包括加速度、压力、化学、流体传感器、微镜以及陀螺仪等，广泛地应用于消费电子、通信、航空、汽车、生物医疗、家电和环境等领域。

2、目前，为了保证mems器件的一些敏感结构工作，需要将其置于真空腔环境中，但是相关技术中的mems器件的真空腔还存在工艺难度大、加工成本高以及成品率低的问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种芯片结构及其制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种芯片结构，包括：

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【技术保护点】

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述覆盖层为器件结构层，所述基底靠近所述器件结构层的一侧设有所述凹陷部，所述流道形成在所述基底上，所述感应部位于所述凹陷部背离所述基底的一侧。

3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述填充体的体积与所述凹陷部的体积相同。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述覆盖层包括器件结构层和盖帽，所述器件结构层位于所述盖帽和所述基底之间，所述盖帽靠近所述基底的一侧设有所述凹陷部，所述流道形成在所述盖帽上，所述感应部设置在所述器件结构层且位于所述凹陷部的边缘。...

【技术特征摘要】

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述覆盖层为器件结构层，所述基底靠近所述器件结构层的一侧设有所述凹陷部，所述流道形成在所述基底上，所述感应部位于所述凹陷部背离所述基底的一侧。

3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述填充体的体积与所述凹陷部的体积相同。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述覆盖层包括器件结构层和盖帽，所述器件结构层位于所述盖帽和所述基底之间，所述盖帽靠近所述基底的一侧设有所述凹陷部，所述流道形成在所述盖帽上，所述感应部设置在所述器件结构层且位于所述凹陷部的边缘。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述盖帽设置有与器件结构层键合的键合空腔区，所述盖帽上的凹陷部位于所述键合空腔区的外周侧。

6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述填充体为有机材料或者金属材料，所述填充体的熔点小于600℃。

7.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述流道的横截面为圆形或矩形；和/或，所述凹陷部的形状为圆形或者矩形；和/或，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张韬楠，李月，魏秋旭，王立会，郭伟龙，常文博，孙杰，何娜娜，丁丁，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：