太阳能电池片、电池组件和光伏系统技术方案

技术编号:41904090 阅读:22 留言:0更新日期:2024-07-05 14:09
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统,太阳能电池片的硅衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域,第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域。第一掺杂层设置在第一区域上且未覆盖第二区域,第一介电层设置在第一掺杂层和第一表面之间。第二掺杂层设置在第三区域上且未覆盖第四区域,第二介电层设置在第二掺杂层和第二表面之间。如此,硅衬底的第一表面未被第一掺杂层全部覆盖,硅片的第二表面也未被第二掺杂层全部覆盖,可以有效地减少第一掺杂层和第二掺杂层对光线的寄生吸收,提高转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统


技术介绍

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。

2、在相关技术中,通常通过在硅片的正面整面形成正面发射极区,在背面正面则形成背面发射极区,随后通过设置钝化膜层以及电极来形成双面可受光的太阳能电池片。然而,在这样的方案中,正面和背面的整个面均被形成发射极或背场区域的掺杂层覆盖,掺杂层对光线的寄生吸收较高,导致太阳能电池片的转换效率较低。


技术实现思路

1、本申请提供一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统,旨在解决现有技术中的太阳能电池片的寄生吸收较高,导致太阳能电池片的转换效率较低的技术问题。

2、本申请是这样实现的,本申请实施例的太阳能电池片包括:

3、硅衬底,所述硅衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面具有若干依次交替设置的第一区域和第二区域,所述第二表面具有若干依次交替设置的第三区域和第四区域;

4、设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8%。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于6%。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于5%。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30%且小于100%。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于8%。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于6%。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域与所述第一表面的面积之比小于5%。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于30%且小于100%。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于40%且小于100%。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于50%且小于100%。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域与所述第二表面的面积之比大于或等于60%且小于100%。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述硅衬底为p型硅衬底,所述第一表面为向光面,所述第二表面为背光面,所述第一掺杂层为p型掺杂层,所述第二掺杂层为n型掺杂层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一区域所对应的硅衬底表面具有平坦结构;和/或

11.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第二区域所对应的硅衬底表面具有金字塔绒面结构或者倒金字塔绒面结构或者链式金字塔绒面结构。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第三区域所对应的硅衬底表面具有平坦化结构;或者

13.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第四区域所对应的硅衬底表面具有平坦结构;或者

14.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第二掺杂层的厚度小于所述第一掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员:王永谦陈刚
申请(专利权)人:珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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