【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体的，设计场效应晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、离子通道因具有离子选择性等智能功能，对于维持生命体的正常生理功能具有重要的意义。受到自然启发，人工离子通道已被制备或合成出用以分子传感器。由于传统离子通道界面固定的物理化学性质，使得其应用范围单一且固定。为了实现对离子通道的调制作用以拓展其应用范围，带有栅压调控的基于纳米通道的离子场效应晶体管应运而生，相较于常规的改进方法包括对离子通道进行化学修饰等，离子场效应晶体管具有更加稳定，且大范围的调制能力，现已被广泛应用于分子传感，能源转换和离子电路等领域。现有的基于纳米通道的离子场效应管大多采用ald原子层生长技术在沟道上生长导电层和绝缘层，但是形成纳米通道的可控性较差，难以精准控制通道尺寸，制备过程复杂且昂贵。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种场效应晶体管，该场效应晶体管中的沟道尺寸可得到高精度控制，或者可有效调控场效应晶体管的电学性
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【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述离子掺杂区域的掺杂离子为硼和镓中的至少之一，
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述器件硅层靠近所述埋氧层的方向上，所述沟道的横截面尺寸逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟道的特征尺寸为0.38～500nm。
5.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟道的最大横截面积大于等于100nm2。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述离子掺杂区域的掺杂离子为硼和镓中的至少之一，
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述器件硅层靠近所述埋氧层的方向上，所述沟道的横截面尺寸逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟道的特征尺寸为0.38～500nm。
5.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述沟道的最大横截面积大于等于100nm2。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的场效...
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