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本发明提供了场效应晶体管及其制作方法。该场效应晶体管包括：SOI晶圆，SOI晶圆包括层叠设置的衬底硅层、埋氧层和器件硅层，器件硅层中设置有沟道，SOI晶圆还具有通孔，通孔贯穿衬底硅层和埋氧层，且与沟道连通，在所述器件硅层靠近埋氧层的方向上，...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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