形成和利用含锑膜的方法以及相关结构技术

用于在衬底上形成含锑膜的系统和方法。还公开了相关的结构和膜。锑膜通过等离子体增强原子层沉积过程形成。锑膜可以在EUV光刻过程中用作底层。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及半导体处理方法和系统的领域，以及器件和集成电路制造的领域。更具体地，本公开涉及形成和利用含锑膜的方法，以及包括这种含锑膜的结构。

技术介绍

1、含锑(sb)膜已经用于许多半导体技术应用中，包括但不限于非易失性相变存储器、光学探测器、高速数字电路和量子阱结构。然而，含锑(sb)膜在半导体器件结构和集成电路中的更广泛采用由于许多因素而受到限制，这些因素包括但不限于不能沉积具有受控成分的膜、沉积速率不足以及低温下沉积质量差。因此，需要沉积含锑膜的改进方法，以及利用所述改进的含锑膜的方法。

2、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被认为是承认本专利技术的任何一个或全部是先前已知的或以其他方式构成现有技术。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成和利用含锑膜的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述锑前体包括烷基胺锑前体。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，所述烷基胺锑前体包括三(二甲胺)锑(Sb(NMe2)3)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括将衬底加热至低于100℃的沉积温度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括施加小于50瓦的RF功率以产生所述等离子体。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括通过调节在等离子体产生中使用的气体的成分、流量和流量比中的至少一个来调整所述含锑膜的成...

【技术特征摘要】

1.一种形成和利用含锑膜的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述锑前体包括烷基胺锑前体。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中，所述烷基胺锑前体包括三(二甲胺)锑(sb(nme2)3)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括将衬底加热至低于100℃的沉积温度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，还包括施加小于50瓦的rf功率以产生所述等离子体。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括通过调节在等离子体产生中使用的气体的成分、流量和流量比中的至少一个来调整所述含锑膜的成分。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述等离子体由基本由氩(ar)和氢(h2)构成的气体产生。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述沉积的含锑膜包含5原子％和45原子％之间的金属锑(sb)的表面成分(原子％)。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述沉积的含锑膜包含介于5原子％和30原子％之间的碳(c)的表面成分(原子％)和介于20原子％和55原子％之间的氧(o)的表面成分。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述等离子体脉冲由基本由氦(he)构成的气体产生。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·查特莱恩，A·萨哈，D·K·戴罗伊斯特，Y·汤姆查克，C·德泽拉，D·皮尤米，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：