本发明专利技术提供一种剥离膜及其制造方法。剥离膜包括至少一无机层以及至少一有机层。无机层的材料包括镍、钴、钨、钼或其合金。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种剥离膜，且特别是涉及一种剥离膜及其制造方法。
技术介绍
1、随着第五代行动通讯技术(5th generation mobile networks，简称5g)的发展，能与其匹配的电子产品的需求也随之增加。然而，目前用于前述电子产品中的基板用超薄铜箔在高温下有不易撕离的问题，进而影响电子产品的效能。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种可具有良好的剥离效果的剥离膜及其制造方法。
2、本专利技术的一种剥离膜包括至少一无机层以及至少一有机层。无机层的材料包括镍、钴、钨、钼或其合金。
3、在本专利技术的一实施例中，上述无机层与有机层交错堆叠。
4、在本专利技术的一实施例中，上述有机层的材料包括含氮杂环化合物或其衍生物。
5、在本专利技术的一实施例中，上述有机层的材料包括苯并三氮唑(1,2,3-benzotriazole，bta)或其衍生物。
6、在本专利技术的一实施例中，上述无机层的厚度为10纳米至100纳米。
>7、在本专利技术的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种剥离膜，包括：
2.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层与所述无机层交错堆叠。
3.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层的材料包括含氮杂环化合物或其衍生物。
4.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层的材料包括苯并三氮唑或其衍生物。
5.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述无机层的厚度为10纳米至100纳米。
6.根据权利要求1所述的剥离膜，其厚度为80纳米至150纳米。
7.根据权利要求1所述的剥离膜，其在室温下的剥离力为0公克/厘米至20公克/厘米，在390℃的温度下的剥离力为0公克/厘米...
【技术特征摘要】
1.一种剥离膜，包括：
2.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层与所述无机层交错堆叠。
3.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层的材料包括含氮杂环化合物或其衍生物。
4.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述有机层的材料包括苯并三氮唑或其衍生物。
5.根据权利要求1所述的剥离膜，其中所述无机层的厚度为10纳米至100纳米。
6.根据权利要求1所述的剥离膜，其厚度为80纳米至150纳米。
7.根据权利要求1所述的剥离膜，其在室温下的剥离力为0公克/厘米至20公克/厘米，在390℃的温度下的剥离力为0公克/厘米至50公克/厘米。
8.一种剥离膜的制造方法，包括：
9.根据权利要求8所述的剥离膜的制造方法，其中所述无机层是借由溅镀法或电镀法形成。
【专利技术属性】
技术研发人员：廖德超，郑维昇，张嘉珊，谢育淇，
申请(专利权)人：南亚塑胶工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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