一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种VDMOS器件ESD保护结构，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同；在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层，绝缘介质层两侧开孔，并分别设置电极。采用多晶刻蚀后原位掺杂多晶硅的方式，代替了离子注入的方式，杂质浓度分布均匀性得到很大提升，同等条件下提高了抗ESD的能力。ESD保护区中形成高质量交替排布的阴极区域和阳极区域，能够提高VDMOS器件抗ESD效果，从而更好地保护器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mosfet结构，尤其涉及一种vdmos器件esd保护结构及其制作方法。

技术介绍

1、vdmos(vertical double-diffused metal oxide semiconductor field effecttransistor,垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管)是一种常见的功率器件。esd(静电释放,electro static discharge)会对器件造成致命的威胁，esd在电路工作环境中比较常见，所以许多半导体器件配备了与主功能电路分立或者结合在一起的独立的esd保护系统。比较常见的用于保护器件的栅极免受esd电压破坏，提高器件的抗esd的能力的方法是在栅极-源极间增加不同组数的齐纳二极管。在形成齐纳二极管时，通常采用掩膜注入的方式，杂质浓度分布服从高斯分布函数，这种分布不利于esd保护能力的提升。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种vdmos器件esd保护结构及其制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述专利技术目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种VDMOS器件ESD保护结构，其特征在于，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同；在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层，绝缘介质层两侧开孔，并分别设置电极。

2.根据权利要求1所述的一种VDMOS器件ESD保护结构，其特征在于，所述漂移层为N型轻掺杂硅外延层，其厚度范围为30μm到60μm，电阻率范围为10Ω.cm到20Ω.cm。

3.根据权利要求1所述的一种VDMOS器件ESD保护结构，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种vdmos器件esd保护结构，其特征在于，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同；在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层，绝缘介质层两侧开孔，并分别设置电极。

2.根据权利要求1所述的一种vdmos器件esd保护结构，其特征在于，所述漂移层为n型轻掺杂硅外延层，其厚度范围为30μm到60μm，电阻率范围为10ω.cm到20ω.cm。

【专利技术属性】
技术研发人员：鞠柯，徐励远，孟军，许柏松，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：