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本发明公开了一种VDMOS器件ESD保护结构，包括：浓掺硅衬底；在浓掺硅衬底上设置漂移层；漂移层上设置氧化层；在氧化层上设置第一掺杂区，第一掺杂区中间设置多条平行沟槽，所述沟槽为第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不...
该专利属于江苏新顺微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新顺微电子股份有限公司授权不得商用。

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