【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种集成电路装置，并且更具体地说，涉及一种包括电容器的集成电路装置。
技术介绍
1、随着精细半导体处理技术的最近快速发展，集成电路装置的集成度迅速提高，因此单位单元的面积减小。因此，单位单元内的电容器所占据的面积也减少了。例如，随着诸如动态随机存取存储器(dram)的集成电路装置的集成度的增加，单位单元的面积减小，但是可能需要相同或更大的电容。因此，可能需要一种电容器结构，该电容器结构能够通过改善电容来保持期望的电特性，而不管空间和设计规则的限制。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种集成电路装置，其包括其中各电介质层具有不同特性的电介质层结构，从而当施加电压以改变内置电场时，可在电介质特性曲线中实现多位状态。
2、本专利技术构思的各方面不限于前述的，本文未描述的其它方面将由本领域技术人员通过下面的描述而清楚地理解。
3、根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路装置可包括：衬底上的晶体管；以及电容器结构，其电连接至晶体管。电容器结构可包括第一...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述残余杂质包括碳原子或者烃基材料。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述内部缺陷偶极子存在于所述多个第一电介质层与所述多个第二电介质层之间的界面中。
7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，所述残余杂质包括金属原子
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【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中，所述残余杂质包括碳原子或者烃基材料。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述内部缺陷偶极子存在于所述多个第一电介质层与所述多个第二电介质层之间的界面中。
7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，所述残余杂质包括金属原子。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
11.一种...
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