【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及量子点器件和包括所述量子点器件的电子设备。
技术介绍
1、具有纳米级尺寸的半导体颗粒(例如，半导体纳米晶体颗粒)可呈现发光。例如，包括半导体纳米晶体的量子点可呈现量子限制效应。当通过例如光激发或电压施加，处于激发态的电子从导带跃迁至价带时，可产生来自半导体纳米颗粒的光发射。通过控制其尺寸和/或组成，半导体纳米颗粒可被控制为发射在期望波长区域中的光。因此，量子点可用在配置成发射特定波长的光的发光元件中。
技术实现思路
1、量子点在发光元件中的应用是最近所关心的并且大量研究涉及改善量子点器件或包括其的显示设备的性能。
2、实施方式提供作为发光元件的能够实现改善的性能的量子点器件。
3、实施方式提供包括所述量子点器件的电子设备例如显示设备。
4、根据实施方式，量子点器件包括：阳极和阴极；设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述发光层包含量子点；设置在所述阳极和所述发光层之间的第一空穴辅助层，所述第一空穴辅助层包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)-聚...
【技术保护点】
1.量子点器件，其包括
2.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料的HOMO能级比所述PEDOT:PSS的HOMO能级深并且比所述空穴传输材料的HOMO能级浅。
3.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料的HOMO能级为5.20eV-5.60eV。
4.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料由化学式1表示：
5.如权利要求4所述的量子点器件，其中Ar为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或...
【技术特征摘要】
1.量子点器件，其包括
2.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料的homo能级比所述pedot:pss的homo能级深并且比所述空穴传输材料的homo能级浅。
3.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料的homo能级为5.20ev-5.60ev。
4.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性材料由化学式1表示：
5.如权利要求4所述的量子点器件，其中ar为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、或其任意组合。
6.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性区域的厚度为所述第一空穴辅助层的总厚度的1％-30％，或者所述表面改性区域的体积为所述第一空穴辅助层的总体积的1％-30％。
7.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述表面改性区域的厚度大于或等于1纳米且小于10纳米。
8.如权利要求1所述的量子点器件，其进一步包括在所述发光层和所述阴极之间的电子辅助层，
9.量子点器件，其包括
10.如权利要求9所述的量子点器件，其中所述第一空穴辅助层包括如下体积的所述表面改性材料：其小于所述pedot:pss的体积。
11.如权利要求9所述的量子点器件，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹园植，金柱炫，权河一，金光熙，金泰亨，朴秀珍，丁大荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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