【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及存储器件，并且更具体地，涉及竖直型存储器件。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，需要能够存储高容量数据的存储器件。因此，已经研究了增加存储器件的数据存储容量的方法。例如，作为增加存储器件的数据存储容量的方法之一，已经提出了包括三维布置的存储单元(或存储单元串)而不是二维布置的存储单元的竖直型存储器件。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种其中构成存储单元串的柱结构容易被连接的竖直型存储器件。
2、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种竖直型存储器件，包括：字线模制件，在衬底上；第一柱结构，在字线模制件内部的沟道孔中；串选择线模制件，在字线模制件和第一柱结构上；以及第二柱结构，在串选择线孔中，该串选择线孔在串选择线模制件内部与沟道孔重叠。
3、第一柱结构包括：第一栅极绝缘层和单元沟道层，在沟道孔的内壁上；可变电阻层，在沟道孔中相对于衬底的上表面在比单元沟道层的高度低的高度处位于单元沟道层的一侧上；第一填充绝缘层，填充沟道孔；以及连接焊盘...
【技术保护点】
1.一种竖直型存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述字线模制件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括多个单元绝缘层和在所述多个单元绝缘层之间的第一电极层。
3.根据权利要求2所述的竖直型存储器件，其中，所述多个单元绝缘层至少包括最上单元绝缘层和在所述最上单元绝缘层和所述衬底之间的下单元绝缘层，并且所述最上单元绝缘层的截面厚度大于所述下单元绝缘层的截面厚度。
4.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述连接焊盘的侧壁在所述沟道孔内接触所述单元沟道层。
5.根据权利要求1所述的竖直型存储...
【技术特征摘要】
1.一种竖直型存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述字线模制件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括多个单元绝缘层和在所述多个单元绝缘层之间的第一电极层。
3.根据权利要求2所述的竖直型存储器件，其中，所述多个单元绝缘层至少包括最上单元绝缘层和在所述最上单元绝缘层和所述衬底之间的下单元绝缘层，并且所述最上单元绝缘层的截面厚度大于所述下单元绝缘层的截面厚度。
4.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述连接焊盘的侧壁在所述沟道孔内接触所述单元沟道层。
5.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述串选择线模制件包括：第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括多个串选择绝缘层和在所述多个串选择绝缘层之间的第二电极层。
6.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述第二栅极绝缘层在所述竖直方向上与所述连接焊盘间隔开。
7.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述串选择线孔包括：第一串选择线孔和第二串选择线孔，所述第二串选择线孔位于所述第一串选择线孔下方，并且相对于所述第一串选择线孔具有较小的宽度。
8.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，在所述串选择线孔内部且在所述第二填充绝缘层上还设置有接触所述选择沟道层的位线。
9.一种竖直型存储器件，包括：
10.根据权利要求9所述的竖直型存储器件，其中，所述字线模制件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括多个单元绝缘层和在所述多个单元绝缘层之间的第一电极层。
11.根据权利要求10所述的竖直型存储器...
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