【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种具有电容器结构的半导体存储器件。
技术介绍
1、随着电子行业的快速发展和用户需求，电子设备变得越来越轻、越来越紧凑。相应地，电子器件中使用的半导体存储器件需要具有高集成密度，并且因此，用于半导体存储器件的组件的设计规则已经减少，从而引起微结构化。然而，具有电容器结构的半导体存储器件需要确保电容器的容量、以及微结构化。
技术实现思路
1、本专利技术构思的各方面提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件允许第一下电极和第二下电极在包括第一下电极和在第一下电极上方的第二下电极在内的两级柱电容器结构中彼此连接并对准。
2、本专利技术构思不限于上面提到的那些方面，并且本领域普通技术人员从下面的描述中将清楚地理解没有提到的其他方面。
3、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体存储器件，包括具有存储单元区域的衬底、以及在衬底的存储单元区域中的多个电容器结构，多个电容器结构中的每一个包括下电极、电容器介电层和上电极，...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述弯曲上电极包括第一弯曲上电极和第二弯曲上电极，所述第一弯曲上电极具有与所述连接下电极的侧表面分离并面向所述连接下电极的所述侧表面的侧表面，并且所述第二弯曲上电极连接到所述第一弯曲上电极的顶端，并且具有与所述第二下电极的侧表面分离恒定距离并与所述第二下电极的所述侧表面平行的侧表面。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，由所述第一下电极的面向所述上电极的侧表面形成的平面与由所述第二下电极的面向所述上电极的侧表面形成的平面不重合。
4.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述弯曲上电极包括第一弯曲上电极和第二弯曲上电极，所述第一弯曲上电极具有与所述连接下电极的侧表面分离并面向所述连接下电极的所述侧表面的侧表面，并且所述第二弯曲上电极连接到所述第一弯曲上电极的顶端，并且具有与所述第二下电极的侧表面分离恒定距离并与所述第二下电极的所述侧表面平行的侧表面。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，由所述第一下电极的面向所述上电极的侧表面形成的平面与由所述第二下电极的面向所述上电极的侧表面形成的平面不重合。
4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一下电极偏离于所述第二下电极。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一下电极和所述第二下电极之间的偏离值小于所述第一下电极和所述第二下电极之一的竖直长度。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，还包括：中间支撑图案，在所述弯曲上电极下方，并且面向所述弯曲上电极的底表面，所述中间支撑图案通过接触所述第一下电极的侧壁的一部分来支撑所述第一下电极，所述第一下电极的所述侧壁的所述部分在比所述连接下电极低的水平处。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，还包括：
8.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述弯曲上电极与所述连接下电极分离，并且所述电容器介电层介于所述弯曲上电极和所述连接下电极之间。
9.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第二连接表面的竖直水平与所述第一弯曲上电极和所述第二弯曲上电极彼此相交在其中的表面的竖直水平实质相同。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金亮阧，朴相郁，徐旻揆，李建烨，李到瑾，洪定杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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