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一种半导体存储器件，包括具有存储单元区域的衬底、以及在衬底的存储单元区域中的多个电容器结构，多个电容器结构中的每一个包括下电极、电容器介电层和上电极，其中，下电极包括第一下电极、在第一下电极上方的第二下电极、以及将第一下电极的顶端连接到第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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