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一种竖直型存储器件，包括第一柱结构，在字线模制件内部的沟道孔中；以及第二柱结构，在串选择线模制件内部与沟道孔重叠的串选择线孔中。第一柱结构包括：第一栅极绝缘层和单元沟道层，在沟道孔的内壁上；可变电阻层，在单元沟道层的一侧上；第一填充绝缘层，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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