【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体管、电位升高转换电路以及半导体装置，尤指是涉及一种包括具有不同厚度部分的栅极氧化物层的晶体管、包括此晶体管的电位升高转换电路以及包括此晶体管的半导体装置。
技术介绍
1、在具有高压处理能力的功率元件中，双扩散金属氧化物半导体(double-diffusedmos，dmos)晶体管元件持续受到重视。常见的dmos晶体管元件有垂直双扩散金属氧化物半导体(vertical double-diffused mos，vdmos)与横向双扩散金属氧化物半导体(ldmos)晶体管元件。ldmos晶体管元件因具有较高的操作频宽与操作效率，以及易与其他集成电路整合的平面结构，现已广泛地应用于高电压操作环境中，例如中央处理器电源供应(cpupower supply)、电源管理系统(power management system)、直流/交流转换器(ac/dcconverter)、高功率或高频段的功率放大器以及电位转换电路(level shifting circuit)等方面。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种高压晶体管，包括：
2.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
3.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
4.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
5.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该栅极氧化物层的该第二部分的该厚度大于或等于该栅极氧化物层的该第一部分的该厚度的四分之一。
6.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该栅极氧化物层的该第一部分在该水平方向上的长度小于该栅极氧化物层的该第二部分在该水平方向上的长度。
7.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第一漂移区的一部分在该垂直方向上设...
【技术特征摘要】
1.一种高压晶体管，包括：
2.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
3.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
4.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
5.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该栅极氧化物层的该第二部分的该厚度大于或等于该栅极氧化物层的该第一部分的该厚度的四分之一。
6.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该栅极氧化物层的该第一部分在该水平方向上的长度小于该栅极氧化物层的该第二部分在该水平方向上的长度。
7.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第一漂移区的一部分在该垂直方向上设置在该栅极结构之下，且该第二漂移区没有在该垂直方向上设置在该栅极结构之下。
8.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第二漂移区的一部分在该垂直方向上设置在该栅极结构之下，且该第一漂移区没有在该垂直方向上设置在该栅极结构之下。
9.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括：
10.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该栅极氧化物层的至少一部分设置在该半导体基底中，且该栅极氧化物层的该第一部分的底表面以及该栅极氧化物层的该第二部分的底表面在该垂直方向上低于该半导体基底的上表面。
11.一种电位升高转换电路，包括：
12.如权利要求11所述的电位升高转换电路，还包括：
13.如权利要求12所述的电位升高转换电路，其中该第一高压晶体管还包括第二掺杂区设置在该第二漂移区中，该第一掺杂区与该第二掺杂区分别位于该第一栅极结构在该水平方向上的该两相对侧，且该第一掺杂区与该第二掺杂区的导电型态与该第一漂移区的该导电型态以及该第二漂移区的该导电型态相同。
14.如权利要求12所述的电位升高转换电路，其中该第二高压晶体管还包括：
15.如权利要求14所述的电位升高转换电路，其中该第二阱区的导电型态与该第三漂移区的该导电型态以及该第四漂移区的该导电型态互补，且该第二阱区的该导...
【专利技术属性】
技术研发人员：张维轩，蔡明桦，郭晋佳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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