制造坐标检测器的方法技术

技术编号:4187913 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
公开一种制造坐标检测器的方法,其中该坐标检测器具有形成于由绝缘材料形成的基板上的电阻膜以及将电压施加到电阻膜上的公共电极。该基板包括四边形的形状。该方法包括以下步骤:a)通过去除沿着基板的外周边缘设置的电阻膜的预定的第一区域来形成第一电阻膜去除区域;b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极;c)给电阻膜施加电压;d)测量电阻膜的电位;e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据;以及f)根据算出的第二电阻膜去除区域的数据,通过将激光束照射到电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 一般地涉及。
技术介绍
计算机系统的输入装置的实例包括触摸板。触摸板被安装在显示 器上,它能够检测显示器上的坐标位置并获得与该坐标位置对应的检 测信号。触摸板提供了直接的、简单的以及直观的输入。触摸板的各种系统被提了出来,例如使用电阻膜的系统、使用光 学成像的系统、以及使用电容耦合的系统。通常使用的是电阻膜型的 触摸板,该触摸板结构简单且容易控制。有几种类型由电极在电阻膜 上的布局而定的低电阻系统触摸板,例如四线式、五线式以及八线式。其中,与四线或八线电阻膜触摸板相比,五线触摸板没有边缘滑移(edge sliding )的问题,边缘滑移是四线式和八线式的缺陷,因为 布置于工作表面一侧的上基板的导电膜只是用来读取电位。因此,五 线触摸板用于强烈使用的或者需要较长的有效使用寿命的环境。 图l是说明五线电阻膜触摸板的示图。参照图1,五线电阻膜触摸板1包括上基板11和下基板12。 下基板12包括玻璃基板21以及形成于玻璃基板21的整个表面 上的透明电阻膜22。用于检测x轴坐标的x坐标检测电极23和24 以及用于检测y轴坐标的y轴检测电极25和26被形成于透明电阻膜 22上。上基板11包括膜基板31以及形成于膜基板31上的透明电阻膜 32。用于检测坐标的坐标检测电极33被形成于透明电阻膜32上。首先,施加到x坐标检测电极23和24上的电压引起下基板12上的透明电阻膜22在x轴方向的电位分布。在这一点上,上基板ll 接触下基板12的位置的x坐标能够通过检测在下基板12的透明电阻 膜22上的电位来测定。其次,施加到y坐标检测电极25和26上的电压引起下基板12 的透明电阻膜22在y轴方向的电位分布。在这一点上,上基板ll接 触下基板12的位置的y坐标能够通过检测在下基板12的透明电阻膜 22上的电位来测定。在这一点上,如何在下基板12的透明电阻膜22上均匀地分布电 位成为了这类触摸板的课题。日本公开专利申请No.10-83251 (专利 文献1)公开了为了电位在下基板12的透明电阻膜22上的均匀分布 而提供多个阶段的外周电位分布修正模式。日本公开专利申请No.2001-125724 (专利文献2)设置了提供公 共电极以便环绕输入表面。日本/>开专利申请No.2007-25904 (专利 文献3)公开了在透明电阻膜上所设置的绝缘膜上形成开口以及穿过 该开口施力ff电位。希望由于坐标检测器要被安装于其上的设备在尺寸上的减小而使 坐标检测器具有较窄的框架。但是,使专利文献l中所期望的坐标检 测器的框架变窄是困难的,因为电位分布修正模式在外周上被提供于 多个阶段中。根据专利文献2所描述的方法,其中该专利文献2提供了在输入 表面周围的公共电极,存在着透明电阻膜上的电位分布被千扰的问 题,除非透明电阻膜的电阻与图形电阻(pattern resistance)的比值较高。而且,根据专利文献3所描述的方法,其中该专利文献3提供了 在已形成的绝缘膜上的开口,上述问题能够得到解决,但是制造方法 变得复杂了。特别地,材料电阻在制造过程中的变化或者电阻在制造 过程中的变化可以引起产品生产产量的降低
技术实现思路
本专利技术可以提供用于,该方法基本上消除 一个或多个由现有技术的限制及缺点所引起的问题。本专利技术的特征和优点将在下文的描述中予以阐述,并且在部分上 从该描述及附图中可以变得显而易见,或者可以根据在该描述中所提 供的教导通过实施本专利技术而认识到。本专利技术的目的以及其他特征和优 点可以通过来认识及实现,该坐标检测器在说 明书中以非常充分的、清晰的、简明的以及精确的术语来特别指出, 以使本领域技术人员能够实施本专利技术。为了实现这些及其他优点以及根据本专利技术的目的,如在此所实施 及广泛描述的,本专利技术的实施例提供了用于, 其中该坐标检测器具有形成于基板上由绝缘材料形成的电阻膜以及用 于给电阻膜施加电压的公共电极,该基板具有四边形的形状,该方法包括步骤a)通过去除预定的第一区域的电阻膜来形成第一电阻膜 去除区域,该电阻膜沿着基板的外周边缘提供的;b)在第一电阻膜 去除区域上形成公共电极;c)给电阻膜施加电压;d)测量电阻膜的 电位;e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据;以及f) 根据算出的第二电阻膜去除区域的数据,通过将激光束照射到电阻膜 的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。当结合附图来理解时,本专利技术的其他目的及更多特征从以下的详 细描述中将是明了的。附图说明图1是说明五线电阻膜触摸板的示图2是说明用来根据本专利技术的实施例执行制造方法的制造设备的 示意图3是说明根据本专利技术的实施例的制造方法的流程图; 图4A-4C是说明第一和第二电阻膜去除区域的结构的俯视图, 该第一和笫二电阻膜去除区域由根据本专利技术的实施例的制造方法形成;图5A-5D是说明第一和第二电阻膜去除区域的另一种结构的俯 视图,该第一和第二电阻膜去除区域由根据本专利技术的实施例的制造方 法形成;图6是说明根据本专利技术的实施例的坐标检测器中的系统结构的示图7A-7E是用于描述包括根据本专利技术的实施例的下基板的板部 件的结构的示图8是说明根据本专利技术的实施例的第一和第二电阻膜去除区域中 的一部分的平面图9A-9B是用于描述根据本专利技术的实施例的上基板的结构的示图10是示出根据本专利技术的实施例的接口板所进行的操作的流程 图;以及图11A和11B是说明根据本专利技术的实施例的下基板的电位分布 的示图。具体实施例方式在下文中,本专利技术的实施例将参照附图予以描述。然后,对根据 该实施例进行描述。 [制造设备I首先,使用根据本专利技术的实施例的制造设 备1000参照图2进行描述。根据本专利技术的实施例的制造设备1000包括XYZ0精细移动台 51、 XYZ0精细移动台控制电路55、激光源52、激光源控制电路 56、光学系统53、探针57、电位测量电路58、计算部件54、控制电 路59,以及记录i某体60。 XYZ0精细移动台51是能够在X方向、Y 方向、Z方向以及0方向上移动玻璃基板131的移动台。XYZ0精细 移动台控制电路55用于控制XYZ0精细移动台51。激光源52用于 照射激光束。激光源控制电路56用于控制激光源52的激光照射。光学系统53用于将激光束聚集到形成于玻璃基板131上的(例如,由 ITO (氧化铟锡)形成的)透明电阻膜132上。探针57用于测量透 明电阻膜132表面上的电位。电位测量电路58用于根据来自探针57 的信号来测量电位。计算部件54用于根据由电位测量电路58测出的 电位来计算下文所描述的电阻膜去除区域的范围。控制电路59用于 控制XYZ/ 精细移动台控制电路55和激光源控制电路56以在根据 由计算部件54算出的数据通过XYZ<9精细移动台51来移动玻璃基 板131的时候,按预定的定时照射激光源52的激光束。记录媒体60 用于在其中存储各种数据。对于具有这种结构的制造设备1000,在通过控制XYZ0精细移 动台51的移动来移动安置于XYZ0精细移动台51上的玻璃基板131(透明电阻膜132形成于其上)的同时,激光束由激光源52照射到 透明电阻膜132的预定区域。在该实施例中,激光束是波长约为 355nm的准分子激光。应当注意,激光束的波长范围可以是340-420nm本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种制造坐标检测器的方法,其中该坐标检测器具有形成于由绝缘材料形成的基板上的电阻膜以及将电压施加到该电阻膜上的公共电极,该基板具有四边形的形状,该方法包括以下步骤: a)通过去除沿着所述基板的外周边缘设置的电阻膜的预定的第一区域来形 成第一电阻膜去除区域; b)在第一电阻膜去除区域上形成公共电极; c)给所述电阻膜施加电压; d)测量所述电阻膜的电位; e)根据测出的电位计算第二电阻膜去除区域的数据;以及 f)根据算出的第二电阻膜去除区 域的数据,通过将激光束照射到所述电阻膜的预定的第二区域来形成第二电阻膜去除区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:近藤幸一
申请(专利权)人:富士通电子零件有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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