【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高导热金刚石散热应用领域，具体涉及一种金刚石复合散热基板的制备方法。
技术介绍
1、随着功率器件集成化、小型化，散热问题成为限制器件性能以及稳定性的瓶颈。其中值得关注的一个问题是：器件表面的热源分布是不均匀的，存在一个或者多个热流密度显著高于其他区域的“热点”，因此，针对不同热流密度区域设计不同的散热方案是有必要的。单晶金刚石具有众多优异的性质，如极高的硬度、红外到紫外高的光学透过性、室温下超高热导率、高载流子迁移率和禁带宽度等，可广泛应用于机械加工、光学窗口、电子器件以及散热应用等。但由于衬底尺寸限制，同质外延单晶金刚石尺寸一般不超过10mm×10mm。通过异质外延和马赛克拼接等虽然能够制备更大尺寸的单晶金刚石，但制备工艺较为复杂，现阶段难以实现广泛应用，尺寸是限制了金刚石材料大规模应用的关键问题之一。然而，金刚石作为热沉片则具有很大的发展前景，其室温热导率高达2400w/(m·k)。根据制备工艺与品质的不同，多晶金刚石热导率大约在1000～2200w/(m·k)范围内，同时4英寸以上的多晶金刚石已经成功制备。由于金刚石...
【技术保护点】
1.一种金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：
2.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤一中多晶金刚石衬底的边长为10mm～20mm，厚度为0.8～2mm。
3.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤一中通孔的边长为3.5mm～10.5mm。
4.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤二中在单晶金刚石衬底的表面加工多条微槽道，微槽道的深宽比为3～6。
5.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：
2.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤一中多晶金刚石衬底的边长为10mm～20mm，厚度为0.8～2mm。
3.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤一中通孔的边长为3.5mm～10.5mm。
4.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤二中在单晶金刚石衬底的表面加工多条微槽道，微槽道的深宽比为3～6。
5.根据权利要求1所述的金刚石复合散热基板的制备方法，其特征在于步骤二中在mpcvd装置的舱体中，控制甲烷的流量为10～15sccm，氢气流量为200～300sccm，氧气流量为0.5～0.8sccm，微波功率为5000～6000w，舱体内气压为130～150torr，以900～950℃的温度，在cvd单晶晶种上化学气相沉积生长单晶金刚石。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱嘉琦，郝晓斌，李一村，代兵，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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