一种<111>晶向InSb籽晶制备方法技术

本发明专利技术公开了一种<111>晶向InSb籽晶制备方法，本发明专利技术的InSb籽晶在晶体生长时，可以避免籽晶中杂质溶解至晶体中而导致的掺杂浓度发生不可控的变化，并且本发明专利技术还可以有效地减少籽晶中原生位错以及机械加工所产生的位错衍生至晶体中导致晶体中位错密度过高的问题，另外，本发明专利技术还可以减小籽晶与籽晶夹具之间的空隙，避免因籽晶与夹具之间空隙过大导致的生长方向与籽晶晶向有偏差的问题，从而保证晶体形状对称，最终获得外形和性能优异的<111>晶向InSb籽晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长，特别是涉及一种<111>晶向insb籽晶制备方法。

技术介绍

1、锑化铟(insb)材料是一种ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料，具有闪锌矿结构，在3～5μm中波红外波段具有接近100％的量子效率，常被用于制备中波段红外探测器。insb焦平面阵列(fpa)由于制备工艺成熟，已被广泛应用于红外探测相关的红外系统中，并取得了很好的结果。insb材料在<111>方向上有着最优的光电效应，因此insb焦平面器件普遍使用的是<111>晶向的insb晶片。目前，insb单晶生长通常使用直拉法，但是现有直拉法制备的insb晶片的表面质量不高，进而影响中波段红外探测器的探测性能。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种<111>晶向insb籽晶制备方法，以解决现有技术中所制备的insb晶片的表面质量不高的问题。

2、第一方面，本专利技术提供了一种<111>晶向insb籽晶制备方法，包括：

3、选取预设低掺te的insb晶体段原料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种<111>晶向InSb籽晶制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过调整使得切割后的晶面的晶向满足<111>±0.1°，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述晶体段原料进行径向电学参数、位错分布测试，并对径向电学参数、位错分布满足要求的区域进行标注，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种<111>晶向insb籽晶制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过调整使得切割后的晶面的晶向满足<111>±0.1°，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述晶体段原料进行径向电学参数、位错分布测试，并对径向电学参数、位错分布满足要求的区域进行标注，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文博，赵超，董涛，彭志强，折伟林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：