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本发明公开了一种<111>晶向InSb籽晶制备方法，本发明的InSb籽晶在晶体生长时，可以避免籽晶中杂质溶解至晶体中而导致的掺杂浓度发生不可控的变化，并且本发明还可以有效地减少籽晶中原生位错以及机械加工所产生的位错衍生至晶体中导...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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