单晶炉用副室结构和单晶炉制造技术

本申请提供了一种单晶炉用副室结构和单晶炉，上述副室结构包括：第一副室和第二副室，第一副室和第二副室沿副室的轴向相邻设置；导向件，沿副室的轴向延伸；第一夹持装置和第二夹持装置，位于副室内，且均与导向件滑动连接；以及切割装置，位于副室内，切割装置在副室的轴向上位于第一夹持装置与第二夹持装置之间。本申请的副室结构可以一边拉制单晶硅棒，一边通过副室结构内的切割装置完成标准长度单晶硅棒的分割。高度较低的副室结构以及较低的厂房即可满足生产要求，从而降低了副室结构和单晶硅棒的生产成本，也降低了副室结构的维修难度以及维修风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请主要涉及单晶硅棒生产装置，尤其涉及一种单晶炉用副室结构和单晶炉。

技术介绍

1、在单晶硅棒的生长过程中，需要进行二次加料，二次加料工艺主要包括单副室内置加料法和炉室外置加料法。单副室内置加料法指的是单晶硅棒生长和加料在同一个副室中先后完成，生长结束至加料开始之间需要一定的冷却等待时间和加料准备时间，因此单副室内置加料法整体用时较长。炉室外置加料法指的是单晶硅棒生长采用副室，加料采用外接设备来完成，虽然生长结束到加料开始之间同样需要一定的冷却等待时间，但外接设备的加料准备时间及加料时间都有所减少，因此炉室外置加料法加料用时较短，但其设备复杂。

2、单副室内置加料法和炉室外置加料法还均存在以下问题：在每一根硅棒拉制结束后均需要将整个副室旋开，取出硅棒之后再将籽晶放入到重锤内部，然后旋回副室重新进行熔接、调温、引晶、放肩和转肩的工序步骤。

3、此外，常规技术中为减少将副室旋开的次数，会增加单根硅棒的长度。这会导致副室的高度随之增加，例如，现有技术中硅棒长度已增加至4米，对应的副室高度随之增加到5米，这导致生产车间的高度达到10米，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶炉用副室结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的单晶炉用副室结构，其特征在于，所述导向件(150)包括第一导轨(151)和第二导轨(152)，所述第一导轨(151)和所述第二导轨(152)沿所述副室结构的径向相对设置于所述第一副室(121)和所述第二副室(122)的内壁。

3.如权利要求2所述的单晶炉用副室结构，其特征在于，所述第一夹持装置(160)包括第一卡爪(161)和第二卡爪(162)，所述第二夹持装置(170)包括第三卡爪(171)和第四卡爪(172)，所述第一卡爪(161)和所述第三卡爪(171)均与所述第一导轨(151)滑动连接，所...

【技术特征摘要】

1.一种单晶炉用副室结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的单晶炉用副室结构，其特征在于，所述导向件(150)包括第一导轨(151)和第二导轨(152)，所述第一导轨(151)和所述第二导轨(152)沿所述副室结构的径向相对设置于所述第一副室(121)和所述第二副室(122)的内壁。

3.如权利要求2所述的单晶炉用副室结构，其特征在于，所述第一夹持装置(160)包括第一卡爪(161)和第二卡爪(162)，所述第二夹持装置(170)包括第三卡爪(171)和第四卡爪(172)，所述第一卡爪(161)和所述第三卡爪(171)均与所述第一导轨(151)滑动连接，所述第二卡爪(162)和所述第四卡爪(172)均与所述第二导轨(152)滑动连接，其中，所述第一卡爪(161)和所述第二卡爪(162)用于相对移动以夹持单晶硅棒，所述第三卡爪(171)和所述第四卡爪(172)用于相对移动以夹持单晶硅棒。

4.如权利要求1所述的单晶炉用副室结构，其特征在于，所述第一副室(121)为伸缩型副室，和/或所述第二副室...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋程章，马玉花，马幼学，马淑兰，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：