晶圆表面损伤的监控方法技术

本申请公开了一种晶圆表面损伤的监控方法，包括：在对目标光刻工艺进行监控时，通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，该监控晶圆是用于对光刻设备的状态进行监控的晶圆，该基准测量数据用于反映监控晶圆的表面平整状态；根据监控晶圆的基准测量数据判断监控晶圆的表面是否超出规格；当确定监控晶圆的表面超出规格时，使用新的监控晶圆替换监控晶圆对目标光刻工艺进行监控，或，使用该监控晶圆监控工艺要求低于目标光刻工艺的其他工艺。本申请通过在对目标光刻工艺进行监控时，通过获取监控晶圆的基准测量数判断监控晶圆的表面是否超出规格，从而实现了实时获悉监控晶圆的状态，在一定程度上提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种晶圆表面损伤的监控方法。

技术介绍

1、在半导体制造业中，光刻是最为关键的工序之一。为确保光刻设备等处于最佳状态，需要通过大量的监控项目(monitor item)监控设备的状态以便即时调整，这些监控项目中通常需要使用大量的监控晶圆(其具有表面非常平整的特性)。

2、当光刻工艺中的监控完成后，监控晶圆通常是去除其表面的光阻后重复使用，而在循环使用过程中，干法刻蚀和湿法刻蚀的去胶过程或多或少都会对晶圆的表面造成损伤，随着使用次数的增多，对监控晶圆的损伤就会越来越严重，从而对监控的结果产生影响。

3、鉴于此，相关技术中，当监控晶圆使用次数达到一定程度时，会对其更新，使用新的监控晶圆，然而采用这样的方式难以实时获悉监控晶圆的状态，从而影响监控结果，导致良率降低，在一定程度上降低了生产效率。

技术实现思路

1、本申请提供了一种晶圆表面损伤的监控方法，可以解决相关技术中通过使用次数更换监控晶圆难以实时获悉监控晶圆的状态的问题，该方法包括：

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【技术保护点】

1.一种晶圆表面损伤的监控方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述监控晶圆的基准测量数据判断所述监控晶圆的表面是否超出规格，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述差值为多个曝光单元中基准测量数据的最大值和最小值之间的差的均值。

5.根据权利要求2至4任一所述的方法，其特征在于，所述光源为波长200纳米至400纳米的光源。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光源为氘灯。...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆表面损伤的监控方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述监控晶圆的基准测量数据判断所述监控晶圆的表面是否超出规格，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，朱至渊，黄发彬，李玉华，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：