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本申请公开了一种晶圆表面损伤的监控方法，包括：在对目标光刻工艺进行监控时，通过光刻设备获取监控晶圆的基准测量数据，该监控晶圆是用于对光刻设备的状态进行监控的晶圆，该基准测量数据用于反映监控晶圆的表面平整状态；根据监控晶圆的基准测量数据判断监...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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