【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是一种参数控制方法以及曝光方法。
技术介绍
1、光刻工艺的本质是把临时电路结构复制到要进行刻蚀和离子注入的硅片上，这些结构首先以图形的形式制作在掩模上，再利用光束通过掩模把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。光刻工艺通常是这样进行的：光刻显影后图形出现在硅片上，然后用化学刻蚀工艺把薄膜图形成像在硅片上，或者通过离子注入完成硅片上的图形中可选择的掺杂。光刻工艺通常包括以下八个基本步骤：气相成底模、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查。
2、在对准和曝光工艺中，通过光源和光学系统将掩模上的图形投影到涂过光刻胶的硅片上；其中，光学系统通常包括镜组，在曝光过程中，可通过拟合的多项式轨迹控制镜组移动以实现对物料的曝光补偿。但通常镜组的运动速度要低于工作台的运动速度，当曝光场内的物料面形较差时，拟合的多项式轨迹会造成镜组的运动时间过长，无法充分发挥工作台的速度性能，导致产率降低；且不同的曝光场内，镜组的运动时间可能不一致，对于不支持曝光场档位切换的曝光设备来说，会导致曝光场过曝或
【技术保护点】
1.一种参数控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，对所述物镜运动轨迹进行平滑处理包括：
3.如权利要求2所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度值包括第一梯度值；
4.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值包括第一梯度阈值；
5.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值包括第二梯度阈值；
6.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度值还包括第二梯度值；
7.如权利要求6所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值...
【技术特征摘要】
1.一种参数控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的参数控制方法，其特征在于，对所述物镜运动轨迹进行平滑处理包括：
3.如权利要求2所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度值包括第一梯度值；
4.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值包括第一梯度阈值；
5.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值包括第二梯度阈值；
6.如权利要求3所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度值还包括第二梯度值；
7.如权利要求6所述的参数控制方法，其特征在于，所述梯度阈值包括第三梯度阈值；
8.如权利要求4或5或7所述的参数控制方法，其特征在于，
9.如权利要求8所述的参数控制方法，其特征在于，所述平滑后的物镜调整量包括该时刻的所述物镜调整量与前一时刻的所述物镜调整量的均值。
10.如权利要求8...
【专利技术属性】
技术研发人员：李煜芝，戴文斌，褚占占，蓝科，周畅，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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