立体氮化镓基PN二极管及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法，其中，一种立体氮化镓基PN二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层；各器件包括设置于立体衬底表面的第一介质层、设置于第一介质层背离立体衬底一侧的n<supgt;‑</supgt;‑GaN层、设置于n<supgt;‑</supgt;‑GaN层上背离立体衬底一侧的阴极和p‑GaN层、设置于p‑GaN层上背离立体衬底一侧的阳极；互联介质层固定有若干互联金属，器件之间对应的阳极通过互联金属连接，器件之间对应的阴极也通过互联金属连接。本发明专利技术中的二极管，立体衬底散热性佳，二极管的集成度高，具备更优异的电性能，应用场景更加广泛，提高了器件的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域，尤其涉及一种立体氮化镓基pn二极管及制备方法。

技术介绍

1、pn二极管是最基本的半导体器件之一，其由p型半导体和n型半导体组成，形成pn结构。这种二极管在电子学领域扮演着重要角色，可用于整流、开关、稳压和放大等多种电路。其独特的单向导电特性使其成为电路中常用的整流器件，可将交流信号转换为直流信号。pn二极管的研发和应用历史悠久，其原理简单、稳定性高，广泛应用于各种电子设备和电路中，为现代电子技术发展奠定了基础。

2、但是传统的pn二极管器件往往不能满足现代应用中对器件具备更高性能和特定需求的要求，同时，传统的pn二极管器件散热问题一直困扰着其发展，以及影响其正常工作。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种立体氮化镓基pn二极管，旨在解决传统的pn二极管器件散热差、集成度低等问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的，本专利技术第一方面提供了一种立体氮化镓基pn二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种立体氮化镓基PN二极管，其特征在于，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各所述器件区域上的若干器件、覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域的互联介质层；

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述互联介质层至少有多层，各层所述互联介质层上对应的所述互联金属连接所述器件之间的所述阳极，或，连接所述器件之间的所述阴极。

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述互联介质层包括第二介质层，所述第二介质层覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域；所述互联金属包括位于第二介质层上的第一互联金属，各所述器件之间对应的所述阴极通过所...

【技术特征摘要】

1.一种立体氮化镓基pn二极管，其特征在于，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各所述器件区域上的若干器件、覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域的互联介质层；

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述互联介质层至少有多层，各层所述互联介质层上对应的所述互联金属连接所述器件之间的所述阳极，或，连接所述器件之间的所述阴极。

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述互联介质层包括第二介质层，所述第二介质层覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域；所述互联金属包括位于第二介质层上的第一互联金属，各所述器件之间对应的所述阴极通过所述第一互联金属连接。

4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述互联介质层包括覆盖所述第二介质层的第三介质层，所述互联介质层还包括位于所述第三介质层上的第二互联金属，各所述器件之间对应的所述阳极通过所述第二互联金属连接。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，张雅婷，黄烨莹，蒋忠伟，黎晓华，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：