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立体氮化镓基PN二极管及制备方法技术
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文档序号:41876039
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本发明提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法,其中,一种立体氮化镓基PN二极管,包括:外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层;各器件包括设置于立体衬底表...
该专利属于深圳大学所有,仅供学习研究参考,未经过深圳大学授权不得商用。
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