半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置包含基板、多个磊晶结构及多个栅极结构。基板具有多个凹槽与多个凸部，凸部的每一者位于凹槽的相邻两者之间。磊晶结构分别位于凹槽内，磊晶结构的每一者包含第一过渡层、第二过渡层与磊晶层。第一过渡层位于凹槽其中一者的底面与侧壁上。第二过渡层沿第一过渡层设置，其中第二过渡层的材料与第一过渡层的材料不同。磊晶层位于第二过渡层上，且填满凹槽其中一者。栅极结构分别位于凸部上。由于半导体装置的磊晶结构具有第一过渡层与第二过渡层，避免晶格之间因为应变能释放破坏晶格，出现无法对正的情况。同时也避免误置缺陷的产生，让磊晶结构对中间的电流通道的压缩力能够维持，维持电流载子的迁移率与饱和电流(I<subgt;D,SAT</subgt;)的大小。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是有关一种半导体装置及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、在晶体管的运作中，磊晶结构形成的源极/漏极对中间的电流通道施加的压缩力非常重要。然而，磊晶结构有时候会因为与下方的硅基板晶格常数相差过大，因此晶隔之间应变累积的内能过大，因而无法维持局部稳定态(local equilibrium)。因此，磊晶结构会通过误置缺陷(misfit dislocation defect)的方式释放这些能量。

2、但在释放之后，意味着磊晶结构能够对中间的电流通道施加的压缩力下降了，因此导致电流通道中的电流载子的迁移率(mobility)下降，影响饱和电流(id,sat)的大小，进而影响晶体管的运作。并且，这样的误置缺陷也容易导致接面漏电流(junction leakage)的产生。

技术实现思路

1、本揭露的一技术态样为一种半导体装置。

2、根据本揭露一实施方式，一种半导体装置包含基板、多个磊晶结构及多个栅极结构。基板具有多个凹槽与多个凸部，凸部的每一者位于凹槽的相邻两者之间。磊晶结构分别位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个磊晶结构的每一者具有凸部，且该凸部往该基板的所述多个凸部其中一者凸出。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该基板的所述多个凹槽每一者的该侧壁具有凹部，且该侧壁接触该第一过渡层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该基板的所述多个凹槽的所述多个凹部分别耦合所述多个磊晶结构的所述多个凸部。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包含：

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该浅沟槽隔离的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个磊晶结构的每一者具有凸部，且该凸部往该基板的所述多个凸部其中一者凸出。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该基板的所述多个凹槽每一者的该侧壁具有凹部，且该侧壁接触该第一过渡层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该基板的所述多个凹槽的所述多个凹部分别耦合所述多个磊晶结构的所述多个凸部。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包含：

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该浅沟槽隔离的侧壁与抵接该浅沟槽隔离的该侧壁相对。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该浅沟槽隔离的该侧壁无凹部。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一过渡层的材料包含硅锗的赝形结晶。...

【专利技术属性】
技术研发人员：申云洪，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：