等离子发射装置、等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子发射装置、等离子体处理装置。其中等离子发射装置，包括射频电力分配电路和至少一个等离子天线，等离子天线包括至少两个天线部，所述天线部按序排布，使得所述等离子天线呈螺旋状；每个天线部串联一与该天线部一一对应设置的阻抗调节电路，形成一天线电路；所述射频电力分配电路与各天线电路的阻抗调节电路相配合，分别调整流经各天线电路的电流量。本发明专利技术的各天线电路的阻抗可调，因而可以调整天线每个部分的电磁场强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理设备的，由于涉及一种等离子发射装置，其被设计成能够提高等离子体处理均匀性控制性的结构，以使得包含功率半导体的半导体制造用或mems用的蚀刻、灰化、cvd装置或以一般的表面改性等为目的的等离子体处理装置中，可以改善对各个被处理物的处理的均匀性。

技术介绍

1、近年来，在半导体制造领域中，出现了很多相比较于之前的工艺要求更高的工艺要求。例如极其微细的蚀刻、对多层膜的均匀蚀刻、与基底膜的极高选择比等蚀刻的要求。另外，在包括power半导体系制造装置领域在内的面向mems的制造装置领域和面向其他广泛的器件制造装置的领域中，也有对多种材料的等离子体处理要求，通过使用所有气体的等离子体处理要求均匀性，进而，在同一处理室内进行处理气体不同或处理条件不同的连续的或断续的等离子体处理时，在各处理中要求均匀的处理的情况今后也有可能增加。

2、在参考文献1(us4948458)所公开的电介质窗的大气侧配置有平面状且同心圆状的螺旋型天线的电感耦合型等离子体源(inductive coupled plasma；icp)，该离子体源是最简单的得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子发射装置，包括：射频电力分配电路和至少一个等离子天线，其特征在于，所述等离子天线包括至少两个天线部，所述天线部按序排布，使得所述等离子天线呈螺旋状；

2.如权利要求1所述的等离子发射装置，其特征在于，所述阻抗调节电路采用可变容量电容器，且串联在天线部的接地侧。

3.如权利要求2所述的等离子发射装置，其特征在于，所述等离子天线的各天线电路的等效电路并联连接。

4.如权利要求3所述的等离子发射装置，其特征在于，所述等离子天线的相邻两个天线部的电流方向相同；或者，所述等离子天线的相邻两个天线部的电流方向相反。

5.如权利要求4所述的...

【技术特征摘要】

1.一种等离子发射装置，包括：射频电力分配电路和至少一个等离子天线，其特征在于，所述等离子天线包括至少两个天线部，所述天线部按序排布，使得所述等离子天线呈螺旋状；

2.如权利要求1所述的等离子发射装置，其特征在于，所述阻抗调节电路采用可变容量电容器，且串联在天线部的接地侧。

3.如权利要求2所述的等离子发射装置，其特征在于，所述等离子天线的各天线电路的等效电路并联连接。

4.如权利要求3所述的等离子发射装置，其特征在于，所述等离子天线的相邻两个天线部的电流方向相同；或者，所述等离子天线的相邻两个天线部的电流方向相反。

5.如权利要求4所述的等离子发射装置，其特征在于，当所述等离子天线的相邻两个天线部的电流方向相反时，位于一个螺旋状的等离子天线内的相邻天线部之间配置有用于屏蔽相邻天线部之间电磁干扰的环形金属板。

6.如权利要求5所述的等离子发射装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口武史，左国军，
申请(专利权)人：创微微电子常州有限公司，
类型：发明
国别省市：