一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法及其应用技术

技术编号:41874749 阅读:14 留言:0更新日期:2024-07-02 00:26
本发明专利技术提供了一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法及其应用,属于钙钛矿太阳能电池技术领域,通过三源共蒸大阳离子R‑NH<subgt;3</subgt;I、PbI<subgt;2</subgt;和FAI,在基底上蒸镀(R‑NH<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;(FA)<subgt;n‑1</subgt;Pb<subgt;n</subgt;I<subgt;3n+1</subgt;钙钛矿薄膜,n>1,置于空气中退火20min,通过改变退火温度,调控(R‑NH<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;(FA)<subgt;n‑1</subgt;Pb<subgt;n</subgt;I<subgt;3n+1</subgt;钙钛矿薄膜的维度;其中,R‑NH<subgt;3</subgt;I为PMAI、PEAI或BAI。本发明专利技术的后退火处理步骤,有助于提升钙钛矿薄膜的质量,并为形成不同维度结构提供所需能量,仅通过调控后退火温度,实现钙钛矿薄膜的维度调控;无需对气相共蒸过程中的蒸发速率、腔体气压等工艺参数进行精细调控,操作简单,可重复性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钙钛矿太阳能电池,具体涉及一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法及其应用


技术介绍

1、钙钛矿作为第三代新型太阳能电池材料的主要代表,经过十一年的快速发展,单结钙钛矿太阳能电池报道的能量转换效率已经达到26.14%,而叠层钙钛矿太阳能电池的能量转化效率已经达到33.9%,超过成熟的多晶硅太阳能电池和大部分第二代薄膜太阳能电池,是高性能和低成本光伏领域的一颗新星。

2、目前对于钙钛矿薄膜的制备主要分为溶液法和气相蒸镀法,其中气相蒸镀法主要分为单源沉积法、多源共蒸法和顺序沉积法,与传统的旋涂法相比,气相蒸镀法具有几个独特的优势:(1)无溶剂或较少溶剂参与;溶液法中高沸点的溶剂在退火后仍部分残留在钙钛矿中,会导致相不稳定。(2)处理可扩展性;气相反应物的分子扩散速率更快,使得反应时进行的更加彻底,并且具有重复性。(3)易于与其他太阳能电池集成;如热蒸发等可用于其他薄膜制备,同时能与其他太阳能制备叠层器件。上述优势说明气相蒸镀法在钙钛矿光伏薄膜制备方面具有良好的前景。

3、在钙钛矿太阳能电池的制备过程中,钙钛矿吸光层的维度决定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,通过三源共蒸大阳离子R-NH3I、PbI2和FAI,在基底上蒸镀(R-NH3)2(FA)n-1PbnI3n+1钙钛矿薄膜,n>1,之后置于空气中退火20min,通过改变退火温度,调控(R-NH3)2(FA)n-1PbnI3n+1钙钛矿薄膜的维度;其中,所述R-NH3I具体为PMAI、PEAI或BAI。

2.根据权利要求1所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,三源共蒸时,蒸发源R-NH3I、PbI2和FAI的质量比为(0.1~0.5):1:1。

3.根据权利要求1所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的...

【技术特征摘要】

1.一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,通过三源共蒸大阳离子r-nh3i、pbi2和fai,在基底上蒸镀(r-nh3)2(fa)n-1pbni3n+1钙钛矿薄膜,n>1,之后置于空气中退火20min,通过改变退火温度,调控(r-nh3)2(fa)n-1pbni3n+1钙钛矿薄膜的维度;其中,所述r-nh3i具体为pmai、peai或bai。

2.根据权利要求1所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,三源共蒸时,蒸发源r-nh3i、pbi2和fai的质量比为(0.1~0.5):1:1。

3.根据权利要求1所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,所述pbi2的蒸发速率为fai的蒸发速率为

4.根据权利要求3所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,所述pmai的蒸发速率为peai的蒸发速率为bai的蒸发速率为

5.根据权利要求1所述调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法,其特征在于,蒸镀所得(r-nh3)2(fa)n-1pbni3n+1钙钛矿薄膜的厚度为500~600nm。

6.根据权利要求1所述调控三源共...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘明侦吴婧仪李发明
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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