【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，掩膜工艺是晶圆表面图形化的重要环节。在进行掩膜工艺时，晶圆放置在气相沉积设备中，通过将金属离子与气体形成的混合物在所述气相沉积设备中进行反应，能够在晶圆表面形成沉积薄膜。
2、其中，现有的气相沉积设备通常包括承载平台，用于承载多个晶圆，以及设置于承载平台下方且位于所述承载平台中心区域的加热单元，用于在形成沉积薄膜的过程中，提供反应所需的温度。
3、然而，由于不同晶圆与所述加热单元之间的距离不同，导致位于承载平台中心区域的晶圆表面的温度高于其边缘区域的温度，而温度又会影响晶圆表面沉积薄膜的沉积速率，使得位于承载平台中心区域的晶圆沉积的薄膜厚度低于边缘区域的薄膜厚度。因此，采用现有的气相沉积设备，晶圆表面沉积薄膜的厚度不一致，均匀性较差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对目前气相沉积设备的不足，提出一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的
【技术保护点】
1.一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，各加热元件连接的电源的电压值与所述反应气体参数、相应加热元件的阻值、所述沉积薄膜的物理参数、所述沉积薄膜与相应承载平台的中心位置间的距离、初始温度、沉积时间满足如下对应关系：
3.根据权利要求2所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，各加热元件的物理参数相同，且与承载平台中心距离相同的加热元件，同时连接至同一电源；各加热元件在所述承载平台下方呈同心圆式阵
【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，各加热元件连接的电源的电压值与所述反应气体参数、相应加热元件的阻值、所述沉积薄膜的物理参数、所述沉积薄膜与相应承载平台的中心位置间的距离、初始温度、沉积时间满足如下对应关系：
3.根据权利要求2所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，各加热元件的物理参数相同，且与承载平台中心距离相同的加热元件，同时连接至同一电源；各加热元件在所述承载平台下方呈同心圆式阵列分布。
4.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，所述加热装置还包括冷却模块和保护层；
5.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备，其特征在于，所述喷洒装置包括：气体通道以及设置于所述气体通道内的多个喷头，并且所述气体通道上开设有供气口，与所述沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：程勇鹏，刘巾溆，郑隆跃，邓良耀，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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