太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池的制备方法包括如下步骤：制备异质结电池；对异质结电池进行紫外光辐照；对异质结电池进行光注入或电注入处理。本发明专利技术对电池的后处理工艺进行优化，通过紫外光辐照处理，将本征非晶硅薄膜内弱的Si‑H键打断，避免后期造成UV衰减；通过光注入或电注入进行修复，提高电池片效率；整体对电池片的效率影响不大，但能够提高电池片的抗UV衰减性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种光稳定性好的太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、异质结电池(heterojunction with intrinsic thin-film，hjt电池)，虽然具有诸多优点，但其uv稳定性差。

2、在追求组件高可靠性的前提下，一部分用户选择了使用uv转光胶膜，通过胶膜将uv光转换为可见光，从而避免uv光到达电池片表面，消除uv衰减风险，但是目前uv转光胶膜尚未成熟，仍待进一步开发。一部分用户选择了使用uv截止胶膜，技术成熟，但是会严重影响组件功率，可导致组件初始功率较uv透光胶膜低1％相对比例。

3、有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池及其制备方法，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术旨在能够至少解决现有技术存在的技术问题之一，提供一种保证se增效效果的太阳能电池及其制备方法。

2、为实现上述专利技术目的之一，本专利技术采用如下技术方案：

3、一种太阳能电池制备方法，包括如下步骤：>

4、制备异质本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述异质结电池包括N型晶硅体，依次设置于N型晶硅体正面的本征非晶硅薄膜、N型掺杂层、正面透明导电薄膜、正面金属电极；

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：紫外光辐照工艺中，紫外线的波长为300nm及以下，以打断本征非晶硅薄膜中弱的Si-H键。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：正面透明导电薄膜在波长300nm的透光率不低于30％。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：所...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述异质结电池包括n型晶硅体，依次设置于n型晶硅体正面的本征非晶硅薄膜、n型掺杂层、正面透明导电薄膜、正面金属电极；

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：紫外光辐照工艺中，紫外线的波长为300nm及以下，以打断本征非晶硅薄膜中弱的si-h键。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：正面透明导电薄膜在波长300nm的透光率不低于30％。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述n型掺杂层为n型非晶硅薄膜、或n型纳米晶硅薄膜、或n型微晶硅薄膜；所述n型掺杂层的厚度介于18nm～22nm。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：n型掺杂层在300nm处的透光率不低于10％。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：对异质结电池进行紫外光辐照后；再对异质结电池进行光注入或电注入处理。

8.根据权利要求1～6任意一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于：紫外光辐照工艺中，光强度为50w/m2～200w/m2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张达奇，吴坚，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：