基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够利用从灯加热器放射的光对基板有效地加热。基板处理装置具备：处理容器，其至少一部分由不透明石英构成；基板载置台，其设置在所述处理容器内或者与所述处理容器内连通的处理空间内；灯加热器，其设置在与所述基板载置台的基板载置面对置的位置；以及等离子体生成部，其设置于所述处理容器的外周，且能够对所述处理容器内的气体进行等离子体激发。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、专利文献1公开了一种基板处理装置，其利用进行了等离子体激发的处理气体对在基板上形成的图案表面进行改性处理。

2、0现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2020/188816号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、5对于上述这样的基板处理而言，有时需要利用加热器对基板有效地进行加热。例如在专利文献1的基板处理装置中，以在处理容器的外周围绕的方式设置反射材料，使从加热器放射的红外线被反射材料反射。

3、本公开的目的是提供一种技术，能够利用从灯加热器放射的光对基板有效地进行加热。

4、0用于解决课题的方案

5、根据本公开的一方式，提供一种技术，其具备：

6、处理容器，其至少一部分由不透明石英构成；

7、基板载置台，其设置在所述处理容器内或者与所述处理容器内连通的处理

8、空间内；

9、5灯加热器，其设置在与所述基板载置台的基板载置面对置的位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻田哲明，保井毅，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：