【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应管防护,具体是一种场效应管安全防护电路。
技术介绍
1、场效应晶体管(field effect transistor,fet),简称场效应管,主要有两种类型:结型场效应管(junction fet,jfet)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductor fet,mosfet,简称mos管),其中对于mos管,大多由相关驱动装置和单片机进行驱动控制,调节mos管的导通程度,并对mos管的传输状态进行检测和保护,但是当单片机出现死机,或者外界干扰导致的程序跑飞问题时,都将导致对mos管的错误控制,继而造成mos管的损坏,带来不必要的经济损失,并且mos管无法进行有效的自检保护工作,因此有待改进。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种场效应管安全防护电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
3、一种场效应管安全防护电路,包括:主电源模块,辅助电源模块,电源切换模块,
...【技术保护点】
1.一种场效应管安全防护电路,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述主电源模块包括电源接口;所述电源切换模块包括第一继电开关、第一二极管、第一电阻、第二二极管;所述场效应管模块包括第一场效应管;所述输出模块包括输出端口;
3.根据权利要求2所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述传输控制模块包括第四电源、第十一电阻、第四开关管和第一模拟开关;所述智能驱动模块包括第一驱动器和第一控制器;
4.根据权利要求3所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述故障判断模块包括第一电容、第六电
...【技术特征摘要】
1.一种场效应管安全防护电路,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述主电源模块包括电源接口;所述电源切换模块包括第一继电开关、第一二极管、第一电阻、第二二极管;所述场效应管模块包括第一场效应管;所述输出模块包括输出端口;
3.根据权利要求2所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述传输控制模块包括第四电源、第十一电阻、第四开关管和第一模拟开关;所述智能驱动模块包括第一驱动器和第一控制器;
4.根据权利要求3所述的一种场效应管安全防护电路,其特征在于,所述故障判断模块包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员:柯佳键,
申请(专利权)人:广东科信电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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