过渡金属沉积过程和沉积组件制造技术

技术编号：41851275 阅读：19 留言：0更新日期：2024-06-27 18:28

本公开涉及在衬底上形成包含过渡金属的膜的方法。本公开还涉及过渡金属层、包括含有过渡金属的层的结构和器件。在该方法中，通过循环沉积过程将过渡金属沉积在衬底上。该方法包括在反应器室中提供衬底并执行循环沉积过程。该循环沉积过程包括以下步骤：将过渡金属前体以气相提供到反应室中，并且将卤素前体以气相提供到反应室中，以在衬底上形成包含元素过渡金属的膜。卤素前体仅包含一个卤素原子。本公开还涉及一种用于在衬底上沉积包含过渡金属的材料的沉积组件。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于制造半导体器件的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在衬底上沉积含过渡金属材料的方法和组件，以及包含过渡金属的层。

技术介绍

1、半导体器件制造过程通常使用先进的沉积方法来形成金属和含金属层。过渡金属比如钼可以具有本领域寻求的许多优点。例如，它们可以用作后段制程(beol)或中段制程(meol)应用中的导体，或者用于埋置电源轨或逻辑应用中的功函数层以及高级存储器应用中的字线或位线。然而，由于过渡金属尤其是钼的正电性，以及其形成氮化物或碳化物相的趋势，通过循环沉积方法沉积高质量的过渡金属薄膜仍具有挑战性。因此，本领域需要替代的或改进的方法来沉积包含一种或多种具有少量碳和/或氮的过渡金属的材料。过渡金属卤化物比如过渡金属碘化物可以在从图案化到beol金属的各种应用中找到用途。

2、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本专利技术被做出时是已知的，或者构成现有技术。

技术实现思路p>

1、提供本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过循环沉积过程在衬底上形成包含过渡金属的膜的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤素前体包括卤代苯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤素前体包括由卤素原子和烃基构成的化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述烃基包括含有2至8个碳的碳链的烷基。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述烃基包括芳基。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述卤素原子是碘或溴。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤素前体包括碘苯或1-碘丁烷。