【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及压延铜箔的粗糙化液、使用其的铜箔的粗糙化方法、和粗糙化铜箔的制造方法。
技术介绍
1、压延铜箔被用作柔性印刷电路板(fpc)的材料，近年来，为了对应高密度化、薄型化、以及微细化/细间距(fine pitch)化，期望将压延铜箔的表面处理成特定的粗糙化形状。
2、已知压延铜箔的弯曲性优异，为了改善弯曲性，会控制晶体方位以使再结晶退火后的立方体集合组织发展。但是，认为由于在该均匀的晶体组织中局部存在具有不同的晶粒方位的晶体颗粒，且该部分的蚀刻速度与周围的蚀刻速度不同，从而在蚀刻后压延铜箔的表面会形成弧坑(crater)状的形状、蚀坑(pit)(例如，参照专利文献1、2)。
3、此外，在压延铜箔的粗糙化中，例如，出于改善与干膜抗蚀剂的密合性、与阻焊剂的密合性、与ni-au镀层的密合性等的观点，需要能够制成与使用现有技术得到的粗糙化表面不同的特定的粗糙化表面的技术(粗糙化液、粗糙化方法)。但是，现有技术难以不产生弧坑状的形状、蚀坑，且难以制成特定的粗糙化形状。
4、现有技术文献
5、
【技术保护点】
1.一种水性组合物，其用于对压延铜箔的表面进行粗糙化，该水性组合物含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、以及唑化合物(C)和/或其盐，
2.根据权利要求1所述的水性组合物，其中，所述唑化合物(C)为选自由下述式(I)所示的苯并三唑化合物和下述式(II)所示的四唑化合物组成的组中的至少1种，
3.根据权利要求2所述的水性组合物，其中，所述唑化合物(C)为选自由1H-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、1H-苯并三唑-1-甲醇、5-甲基-1H-四唑和1H-四唑组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的水性组合物，其进一步包含苯基脲，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种水性组合物，其用于对压延铜箔的表面进行粗糙化，该水性组合物含有过氧化氢(a)、硫酸(b)、以及唑化合物(c)和/或其盐，
2.根据权利要求1所述的水性组合物，其中，所述唑化合物(c)为选自由下述式(i)所示的苯并三唑化合物和下述式(ii)所示的四唑化合物组成的组中的至少1种，
3.根据权利要求2所述的水性组合物，其中，所述唑化合物(c)为选自由1h-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、1h-苯并三唑-1-甲醇、5-甲基-1h-四唑和1h-四唑组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的水性组合物，其进一步包含苯基脲，水性组合物中的苯基脲的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.005～0.3质量％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的水性组合物，其中，对iso25178中规定的表面状态参数sa、sz、sq、spc和sdr满足以下条件的未处理(粗糙化处理前)的压延铜箔的表面，在35℃的条件下进行通过下述式(1)求得的粗糙化处理量(单位：μm)为0.5～1.0μm的粗糙化处理时，经粗糙化处理的压延铜箔的所述表面状态参数sa、sz、sq、spc和sdr的、通过下述式(2)求得的各参数的改善率(单位：％)均为30％以上，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的水性组合物，其中，所述水性组合物进一步包含醇。
7.一种压延铜箔的粗糙化处理方法，其包括如下工序：使权利要求1～6中任一项所述的水性组合物与压延铜箔的表面接触来对所述压延铜箔的表面进行粗糙化。
8.根据权利要求7所述的压延铜箔的粗糙化处理方法，其中，在35℃的条件下进行通过下述式(1)求得的粗糙化处理量(单位：μm)为0.5～1.0μm的粗糙化处理时，粗糙化处理后的压延铜箔表面的iso25178中规定的表面状态参数sa、sz、sq、spc和...
【专利技术属性】
技术研发人员：曽根昌弥，松永裕嗣，玉井聪，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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