【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的一些示例实施例涉及半导体封装。
技术介绍
1、用于晶片接合的绝缘材料中包括的硅的重量比率可以小于20％。当执行晶片的接合工艺时，根据表面处理条件、在晶片接合之后的热处理条件等产生的h2o可能在接合表面中产生空隙。形成在晶片的接合表面上的空隙可能引起晶片的接合表面上的分层。因此，为了提高晶片接合的可靠性，期望或有必要抑制或防止晶片的接合表面上出现空隙。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种提高基板的接合可靠性的半导体封装。
2、然而，本专利技术构思不限于本文阐述的专利技术构思。通过参考下面给出的示例实施例的详细描述，上述和其他专利技术构思对本领域普通技术人员将变得更加清楚。
3、根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，在第一基板上与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，在第一绝缘层上与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度在至的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二浓度在5wt％至20wt％的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二绝缘层的厚度在至的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二浓度在5wt％至20wt％的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
6.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体封装，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：金兑泳，闵俊弘，郑银淑，曹昭惠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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