半导体器件的制作方法以及半导体器件技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供第一待键合结构以及第二待键合结构，第一待键合结构包括叠置第一预备晶圆以及第一金属层，第二待键合结构包括第二晶圆；以第一金属层远离第一预备晶圆的表面为键合界面，键合第一待键合结构与第二待键合结构，得到键合结构，第一预备晶圆远离第一金属层的表面为键合结构的正面；对键合结构的正面进行预定处理，预定处理包括减薄，预定处理后的第一预备晶圆形成第一晶圆；在预定处理后键合结构的正面上形成线路层，并对形成有线路层的键合结构进行切割，得到多个半导体器件。本申请解决了现有技术中wafer减薄后存在较大翘曲的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。

技术介绍

1、随着市场的发展，要求低压mos的导通阻抗越来越低，对于低压mos csp(chipscale package，芯片级封装)，要求硅层越来越薄(≤100um)和第一金属层(≥10um)越来越厚。

2、目前市场主要采用taiko减薄的技术流程。taiko减薄的wafer(晶圆)因为有外边缘支撑环，所以可以量产实现si层≥100um厚度的减薄。

3、然而现有taiko工艺流程存在如下问题：taiko取环后，wafer存在较大翘曲，在后续的wafer切割过程中容易产生破片和切割膜被割透的问题。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，以解决现有技术中wafer减薄后存在较大翘曲的问题。

2、根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一待键合结构以及第二待键合结构，所述第一待键合结构包括叠置第一预备晶圆以及第一金属层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述键合结构的正面进行预定处理，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供第一待键合结构，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属子层有三个，分别为沿远离所述第一预备晶圆的方向依次叠置的第一金属子层、第二金属子层以及第三金属子层，所述第一金属子层的材料包括钛，所述第二金属子层的材料包括镍，所述第三金属子层的材料包括银。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，提供第二待键合结构，包括：

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述键合结构的正面进行预定处理，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供第一待键合结构，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属子层有三个，分别为沿远离所述第一预备晶圆的方向依次叠置的第一金属子层、第二金属子层以及第三金属子层，所述第一金属子层的材料包括钛，所述第二金属子层的材料包括镍，所述第三金属子层的材料包括银。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，提供第二待键合结构，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，以所述第一金属层远离所述第一预备晶圆的表面为键合界面，键合所述第一待键合结构与所述第二待键合结构，得到键合结构，包括：

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚平，任傲傲，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：