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本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供第一待键合结构以及第二待键合结构，第一待键合结构包括叠置第一预备晶圆以及第一金属层，第二待键合结构包括第二晶圆；以第一金属层远离第一预备晶圆的表面为键合界面...
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