【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法。
技术介绍
1、目前，在背照式图像传感器的生产工艺中，介电层广泛应用于改善白像素。
2、但是，现有针对介电层质量的监控手段只有在产线外测试空白晶圆的平带电压(vfb)，而空白晶圆只包括衬底和形成于衬底上的氧化层和介电层，空白晶圆中并未形成二极管以及深沟槽隔离结构等图形结构，导致测试结果无法反应生产线上的在制晶圆中的介电层质量的真实状态，且无法反应工艺制程对介电层质量的影响。
3、因此，如何对产线上的在制晶圆中的介电层的质量进行监控是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，能够对产线上的在制晶圆中的介电层的质量进行监控。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体测试结构，包括：
3、衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面上形成有介电层；
4、感应层，通过对所述衬底进行离子掺杂
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【技术保护点】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述感应层由形成于所述衬底中的第一掺杂层以及至少部分形成于所述第一掺杂层内的隔离层形成，所述感应层为所述第一掺杂层靠近所述介电层的一面与位于所述第一掺杂层内的隔离层靠近所述介电层的一面之间的所述第一掺杂层。
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一掺杂层以及位于所述第一掺杂层内的隔离层之间还形成有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别连通所述感应层的两端并被位于所述第一掺杂层内的隔离层隔开，所述第一部分、所述第二部分以及所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述感应层由形成于所述衬底中的第一掺杂层以及至少部分形成于所述第一掺杂层内的隔离层形成，所述感应层为所述第一掺杂层靠近所述介电层的一面与位于所述第一掺杂层内的隔离层靠近所述介电层的一面之间的所述第一掺杂层。
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一掺杂层以及位于所述第一掺杂层内的隔离层之间还形成有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别连通所述感应层的两端并被位于所述第一掺杂层内的隔离层隔开，所述第一部分、所述第二部分以及所述感应层形成感应层通道。
4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，在第一截面内，所述感应层通道截面为所述第一掺杂层从所述第一掺杂层靠近所述衬底的第二表面一面凹进去的凹槽；在第二截面内，位于所述第一掺杂层内的所述隔离层在第一方向上至少具...
【专利技术属性】
技术研发人员：关富升，潘冬，刘珩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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