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本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，衬底的第一表面上形成有介电层；感应层，通过对所述衬底进行离子掺杂形成；所述介电层能够吸引所述感应层中的空穴或电子富集在所述感应层靠近所述介...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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