超结器件制造技术

本申请提供一种超结器件，包括：衬底、外延层、外延层中阵列式排布的深沟槽、氧化层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，其中，深沟槽中的第二多晶硅层中形成有空腔结构。本申请采用不完全填充的填充方式在深沟槽中填充第二多晶硅层，以在深沟槽中间形成空腔结构，各深沟槽内的空腔结构的存在可以为衬底上的器件各膜层提供后续热退火过程(工艺)膨胀的空间，可减轻各膜层施加于衬底的应力，从而解决半导体衬底的翘曲或开裂问题，提高了器件良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种超结器件。

技术介绍

1、为制备高压超结器件，第一种常规制备方法是多次外延加离子注入，使器件内部n/p电荷量达到平衡，但是该方法工艺复杂成本高；第二种常规制备方法是深沟槽刻蚀加外延填充，使器件内部n/p电荷量达到平衡，然而外延填充(epi填充)高深宽比的沟槽工艺难度大，对深沟槽的形貌有较高的要求，且成本较高，大约是采用cvd工艺淀积成本的9倍。

2、此外，由于超结器件的制备过程需经多次热退火过程，深沟槽经完全填充后，膜层膨胀或收缩对定义沟槽的衬底表面施加力，这可能导致半导体衬底翘曲或开裂。在小尺寸的超结器件中，随着深沟槽密度增大，翘曲或开裂问题将变得更加严重。

技术实现思路

1、本申请提供了一种超结器件，可以解决目前高压超结器件的制备工艺难度大、成本高以及制备过程中由于多次热退火导致器件的衬底翘曲或开裂等问题中的至少一个问题。

2、本申请实施例提供了一种超结器件，包括：

3、衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层中形成有阵列式排布的深沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超结器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述空腔结构呈中间宽两端逐渐趋窄的椭圆状，所述空腔结构的两端分别靠近所述深沟槽的顶部和底部。

3.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述空腔结构的高度至少为所述深沟槽的深度的五分之三；所述空腔结构的最大宽度至少为所述深沟槽的横向尺寸的五分之一。

4.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，利用CVD工艺形成所述第二多晶硅层，其中，所述第二多晶硅层的沉积速率为

5.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度小于或者等于所述深沟槽...

【技术特征摘要】

1.一种超结器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述空腔结构呈中间宽两端逐渐趋窄的椭圆状，所述空腔结构的两端分别靠近所述深沟槽的顶部和底部。

3.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，所述空腔结构的高度至少为所述深沟槽的深度的五分之三；所述空腔结构的最大宽度至少为所述深沟槽的横向尺寸的五分之一。

4.根据权利要求1所述的超结器件，其特征在于，利用cvd工艺形成所述第二多晶硅层，其中，所述第二多晶硅层的沉积速率为

5.根据权利要求1所述的超结器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旋，杨继业，倪运春，潘嘉，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：