温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种超结器件，包括：衬底、外延层、外延层中阵列式排布的深沟槽、氧化层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，其中，深沟槽中的第二多晶硅层中形成有空腔结构。本申请采用不完全填充的填充方式在深沟槽中填充第二多晶硅层，以在深沟槽中间形成空腔结构，...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。