【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于处理半导体衬底的方法和组件。更具体地，本公开涉及用于选择性蚀刻半导体衬底上的特定材料的方法和组件。
技术介绍
1、各种电介质、绝缘和导电材料用于半导体应用中，以形成半导体器件和进一步的集成电路。器件和器件架构日益增加的复杂性需要使用许多处理步骤来制造它们，包括重复构图。使用不同过程步骤的成本始终是一个问题，并且正在探索材料的选择性沉积作为一种选择，以实现器件缩放和/或提高性能，同时控制制造过程的成本和复杂性。
2、选择性蚀刻(其中特定材料优先于其他材料被蚀刻)正在成为一种有前途的过程，用于产生多层半导体结构而不需要间歇图案化。然而，对于各种材料组合的选择性蚀刻过程的选择是有限的。因此，此项技术中需要更多针对新材料组合的蚀刻过程，且需要改进现有蚀刻过程的精确度以实现半导体装置的进一步可缩放性和多功能性。
3、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已被包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应该被认为是承认任何信息在专利技术时是已知的或者构成现有技术。
【技术保护点】
1.一种选择性蚀刻材料的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻液体包括选自强酸和含氮氢氧化物的蚀刻剂。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括选自HF、HCl和H3PO4的强酸。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括选自NH4OH和N(CH3)4OH的含氮氢氧化物。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻液体包括辅助氧化剂。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻液体是水溶液。
7.根据前述权利要求中任一项所...
【技术特征摘要】
1.一种选择性蚀刻材料的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻液体包括选自强酸和含氮氢氧化物的蚀刻剂。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括选自hf、hcl和h3po4的强酸。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括选自nh4oh和n(ch3)4oh的含氮氢氧化物。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻液体包括辅助氧化剂。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻液体是水溶液。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一表面与所述含聚酰亚胺层之间的蚀刻比为至少10。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述含聚酰亚胺层基本未被蚀刻。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一表面和所述第二表面具有化学上不同的成分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一表面包括硅。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一表面包括si...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·托伊斯，邓少任，D·基亚佩，V·马德希瓦拉，M·图米恩，V·万达伦，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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