【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体晶圆的减薄方法。
技术介绍
1、半导体晶圆的生产过程中，减薄工艺是期间重要的一个环节，通常采用酸蚀的方法，使晶圆与药液进行充分的反应。然而，该方法有以下缺点：由于浸泡时间长，晶圆在溶液中厚度精度难以控制，晶圆上原有的划痕会被侵蚀放大从而形成凹坑。
2、因此，亟待提供一种改进的半导体晶圆的减薄方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体晶圆的减薄方法，可以减少半导体晶圆在减薄过程中形成的划痕、凹陷，从而提高半导体晶圆的品质。
2、为实现上述目的，本专利技术半导体晶圆的减薄方法，包括：
3、清洗半导体晶圆，所述半导体晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面；
4、在半导体晶圆的所述第二表面贴附抗酸膜；以及
5、控制研磨盘对所述第一表面进行研磨，在研磨的同时向所述第一表面喷洒酸性腐蚀液。
6、与现有技术相比，本专利技术的半导体晶圆的减薄方法...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的减薄方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述研磨具体包括：控制所述研磨盘的转速为4800-5000rpm，所述研磨盘的进给速率为2-3μm/s。
3.如权利要求2所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述研磨还包括：控制所述研磨盘在所述第一表面的磨削深度为0.5-1.0mm。
4.如权利要求1所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于：所述酸性腐蚀液为盐酸或氢氟酸。
5.如权利要求1所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于：所述抗酸膜为涂布有抗酸胶粘剂的
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的减薄方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述研磨具体包括：控制所述研磨盘的转速为4800-5000rpm，所述研磨盘的进给速率为2-3μm/s。
3.如权利要求2所述的半导体晶圆的减薄方法，其特征在于，所述研磨还包括：控制所述研磨盘在所述第一表面的磨削深度为0.5-1.0mm。
4.如权利要求1所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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