存储器装置、存储器系统及存储器装置的操作方法制造方法及图纸

技术编号:41832814 阅读:44 留言:0更新日期:2024-06-27 18:17
提供了存储器系统、存储器装置的操作方法以及存储器装置。该存储器系统包括多个堆叠的存储器裸芯。多个存储器裸芯中的每一个包括连接到第一通道的第一存储器装置和连接到第二通道的第二存储器装置。在镜像模式下,当第一存储器装置对写入数据执行第一写入操作时,第二存储器装置对写入数据执行第二写入操作。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及该存储器装置的操作方法。


技术介绍

1、动态随机存取存储器(dram)是一种在存储单元阵列中存储数据的随机存取半导体存储器。存储单元阵列包括多个存储体。存储器系统可以包括dram和存储器控制器。存储单元阵列可以从存储器控制器接收记录命令和相应的数据,并根据命令解码结果将数据存储在多个存储体中。

2、相同的数据可以存储在几个存储体中,以提供冗余来增加数据完整性。然而,由于存储单元阵列的可用于存储新数据的空间较小,因此存储器系统的性能可能降低。因此,需要一种能够更有效地执行数据记录操作的存储器系统。


技术实现思路

1、本公开的一方面提供一种支持镜像模式的存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及该存储器装置的操作方法。

2、根据本公开的一方面,一种存储器系统包括:封装件衬底、插入件、逻辑裸芯、存储器装置和控制芯片。插入件设置在封装件衬底上。逻辑裸芯设置在插入件上。存储器装置设置在逻辑裸芯上。控制芯片被配置为控制存储器装置。存储器装置包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器系统,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述多个存储器裸芯中的每一个包括被配置为在所述镜像模式下操作的镜像模式电路。

3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述第一存储器装置和所述第二存储器装置中的每一个包括行地址缓冲器、列地址缓冲器和数据缓冲器,并且

4.根据权利要求3所述的存储器系统,还包括:

5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式根据对所述存储器装置执行的测试操作的结果被确定。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式基于所述第一通道的错误率超过阈值而被激活。...

【技术特征摘要】

1.一种存储器系统,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述多个存储器裸芯中的每一个包括被配置为在所述镜像模式下操作的镜像模式电路。

3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述第一存储器装置和所述第二存储器装置中的每一个包括行地址缓冲器、列地址缓冲器和数据缓冲器,并且

4.根据权利要求3所述的存储器系统,还包括:

5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式根据对所述存储器装置执行的测试操作的结果被确定。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式基于所述第一通道的错误率超过阈值而被激活。

7.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述逻辑裸芯包括用于在所述第一存储器装置和所述第二存储器装置中读取或写入数据的内建自测试电路,并且

8.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,通过设置模式寄存器设置或应用命令而进入所述镜像模式。

9.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述镜像模式由所述控制芯片设置。

10.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,所述第一写入操作和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙钟弼
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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